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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第1289位 20件 (2018年:第928位 29件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第950位 21件 (2018年:第1328位 14件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6611809 | 金属ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法 | 2019年11月27日 | |
特許 6612484 | アレイ内のフラッシュメモリセルを読み出すためのビット線プリチャージ回路を有する改良された感知増幅器 | 2019年11月27日 | |
特許 6608550 | 内蔵不揮発性メモリセルでFINFET・CMOSデバイスを集積する方法 | 2019年11月20日 | |
特許 6573909 | スプリットゲートフラッシュメモリセルのプログラミング中の外乱を低減するシステム及び方法 | 2019年 9月11日 | |
特許 6570773 | フラッシュメモリ装置のための非対称感知増幅器及び関連する方法 | 2019年 9月 4日 | |
特許 6571759 | 制御ゲートと浮遊ゲートとの間の強化された横方向結合によりスケーリングが改良される分割ゲートフラッシュメモリセル | 2019年 9月 4日 | |
特許 6571772 | 仮想接地型不揮発性メモリアレイ | 2019年 9月 4日 | |
特許 6568643 | 統合された高K金属ゲート論理デバイス及び無金属消去ゲートを有する不揮発性分割ゲートメモリセル、並びにその作製方法 | 2019年 8月28日 | |
特許 6550135 | 幾何学的に改良された抵抗変化型メモリ(RRAM)セル及びその形成方法 | 2019年 7月24日 | |
特許 6535812 | ソース線プルダウン回路としてダミーメモリセルを使用するフラッシュメモリシステム | 2019年 6月26日 | |
特許 6532522 | スプリットゲートフラッシュメモリセルのセクタの一部分の消去を禁止するシステム及び方法 | 2019年 6月19日 | |
特許 6513291 | メモリアレイ及び論理デバイスを形成する方法 | 2019年 5月15日 | |
特許 6503077 | 高密度スプリットゲート型メモリセル | 2019年 4月17日 | |
特許 6503471 | スプリットゲート型フラッシュメモリアレイ及びロジックデバイスの集積化 | 2019年 4月17日 | |
特許 6500095 | 内蔵フラッシュメモリデバイス用の改良された電力シーケンシング | 2019年 4月10日 |
21 件中 1-15 件を表示
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6611809 6612484 6608550 6573909 6570773 6571759 6571772 6568643 6550135 6535812 6532522 6513291 6503077 6503471 6500095
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