特許ランキング - 出願人詳細情報 -

シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド

※ ログインすれば出願人(シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2017年出願公開件数ランキング　　　第1503位　18件（2016年：第1586位　15件）

　■　2017年特許取得件数ランキング　　　第1363位　14件（2016年：第1540位　13件）

（ランキング更新日：2026年3月6日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年 2026年

シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6239093	自己整列浮遊及び消去ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法	2017年11月29日
特許 6228238	増大したチャネル領域有効幅を有する不揮発性メモリセル及びその製造方法	2017年11月 8日
特許 6225293	高速フラッシュメモリシステム用のビット線レギュレータ	2017年11月 1日
特許 6208895	低電力ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良型感知回路	2017年10月 4日
特許 6195940	高度ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良形トランジスタ設計	2017年 9月13日
特許 6189535	分割ゲート型不揮発性メモリセル用の自己整合ソースの形成	2017年 8月30日
特許 6182268	ケイ素金属浮遊ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法	2017年 8月16日
特許 6150444	ゲートの下のドーパントの拡散を低減することによるメモリセルの形成方法	2017年 6月21日
特許 6130079	半導体活性区域及び隔離領域を形成するダブルパターン形成方法	2017年 5月17日
特許 6113200	不揮発性メモリアレイに使用するための自己整合スタックゲート構造	2017年 4月12日
特許 6101198	選択的／差動閾値電圧機能を含む不揮発性メモリ検知システム及び方法	2017年 3月22日
特許 6101369	メモリデバイスにおけるセンス増幅器のセルフタイマ	2017年 3月22日
特許 6094934	デプレッションモード浮遊ゲートチャネルを備えた分割ゲートメモリセル、及びその製造方法	2017年 3月15日
特許 6065969	オンザフライ（ＯＮ−ＴＨＥ−ＦＬＹ）でトリミング可能なセンス増幅器	2017年 1月25日

14 件中 1-14 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

6239093 6228238 6225293 6208895 6195940 6189535 6182268 6150444 6130079 6113200 6101198 6101369 6094934 6065969

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッドの知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2026年特許出願件数	2026年特許取得件数
2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数