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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1503位 18件
（
2016年：第1586位 15件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第1363位 14件
（2016年：第1540位 13件）
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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6239093 | 自己整列浮遊及び消去ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法 | 2017年11月29日 | |
| 特許 6228238 | 増大したチャネル領域有効幅を有する不揮発性メモリセル及びその製造方法 | 2017年11月 8日 | |
| 特許 6225293 | 高速フラッシュメモリシステム用のビット線レギュレータ | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6208895 | 低電力ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良型感知回路 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6195940 | 高度ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良形トランジスタ設計 | 2017年 9月13日 | |
| 特許 6189535 | 分割ゲート型不揮発性メモリセル用の自己整合ソースの形成 | 2017年 8月30日 | |
| 特許 6182268 | ケイ素金属浮遊ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法 | 2017年 8月16日 | |
| 特許 6150444 | ゲートの下のドーパントの拡散を低減することによるメモリセルの形成方法 | 2017年 6月21日 | |
| 特許 6130079 | 半導体活性区域及び隔離領域を形成するダブルパターン形成方法 | 2017年 5月17日 | |
| 特許 6113200 | 不揮発性メモリアレイに使用するための自己整合スタックゲート構造 | 2017年 4月12日 | |
| 特許 6101198 | 選択的／差動閾値電圧機能を含む不揮発性メモリ検知システム及び方法 | 2017年 3月22日 | |
| 特許 6101369 | メモリデバイスにおけるセンス増幅器のセルフタイマ | 2017年 3月22日 | |
| 特許 6094934 | デプレッションモード浮遊ゲートチャネルを備えた分割ゲートメモリセル、及びその製造方法 | 2017年 3月15日 | |
| 特許 6065969 | オンザフライ（ＯＮ−ＴＨＥ−ＦＬＹ）でトリミング可能なセンス増幅器 | 2017年 1月25日 |
14 件中 1-14 件を表示
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6239093 6228238 6225293 6208895 6195940 6189535 6182268 6150444 6130079 6113200 6101198 6101369 6094934 6065969
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