ホーム > 特許ランキング > シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド > 2018年 > 特許一覧
※ ログインすれば出願人(シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2018年 出願公開件数ランキング 第928位 29件
(2017年:第1503位 18件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第1328位 14件
(2017年:第1363位 14件)
(ランキング更新日:2025年4月3日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6407488 | 統合された高K金属ゲートを有する不揮発性分割ゲートメモリセル及びそれを作製する方法 | 2018年10月17日 | |
特許 6378216 | 高度なナノメートルフラッシュメモリのダイナミックプログラミング | 2018年 8月22日 | |
特許 6367491 | 金属改良ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法 | 2018年 8月 1日 | |
特許 6360263 | 5ボルトの論理デバイスを有する分割ゲート型メモリセルを形成する方法 | 2018年 7月18日 | |
特許 6343721 | 金属ゲートを備えた自己整合型分割ゲートメモリセルアレイ及び論理デバイスの形成方法 | 2018年 6月13日 | |
特許 6336466 | 三次元フラッシュメモリシステム | 2018年 6月 6日 | |
特許 6336541 | センス増幅器のためのトリミング可能な基準発生器 | 2018年 6月 6日 | |
特許 6324621 | シリコンオンインシュレータ基板を備えた埋め込みメモリデバイスの製造方法 | 2018年 5月16日 | |
特許 6311072 | EEPROM機能を有するフラッシュメモリシステム | 2018年 4月11日 | |
特許 6302492 | フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法 | 2018年 3月28日 | |
特許 6291584 | 自己整列浮遊及び消去ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法 | 2018年 3月14日 | |
特許 6282291 | トレンチ内に電荷トラップ層を有する不揮発性メモリセル、アレイ、及びその製造方法 | 2018年 2月21日 | |
特許 6282660 | 不揮発性メモリアレイ及びフラクショナルワードプログラミングのための不揮発性メモリアレイを使用する方法 | 2018年 2月21日 | |
特許 6281027 | 読み取り専用メモリ機能性を提供するように構成可能なフラッシュメモリ装置 | 2018年 2月14日 |
14 件中 1-14 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6407488 6378216 6367491 6360263 6343721 6336466 6336541 6324621 6311072 6302492 6291584 6282291 6282660 6281027
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドの知財の動向チェックに便利です。
4月4日(金) -
4月4日(金) -
4月9日(水) -
4月9日(水) -
4月10日(木) - 東京 港区赤坂3-9-1 紀陽ビル4階
【セミナー|知財業界で働くなら知っておくべき】知財部長と代表弁理士が伝える、知財部と事務所の違いとは〈4/10(木)19時~〉
4月11日(金) -
〒543-0014 大阪市天王寺区玉造元町2番32-1301 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪府大阪市西区靱本町1丁目10番4号 本町井出ビル2F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
千葉県柏市若柴178番地4 柏の葉キャンパス148街区2 ショップ&オフィス棟6階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許