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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第928位 29件
(2017年:第1503位 18件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第1328位 14件
(2017年:第1363位 14件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6407488 | 統合された高K金属ゲートを有する不揮発性分割ゲートメモリセル及びそれを作製する方法 | 2018年10月17日 | |
特許 6378216 | 高度なナノメートルフラッシュメモリのダイナミックプログラミング | 2018年 8月22日 | |
特許 6367491 | 金属改良ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法 | 2018年 8月 1日 | |
特許 6360263 | 5ボルトの論理デバイスを有する分割ゲート型メモリセルを形成する方法 | 2018年 7月18日 | |
特許 6343721 | 金属ゲートを備えた自己整合型分割ゲートメモリセルアレイ及び論理デバイスの形成方法 | 2018年 6月13日 | |
特許 6336466 | 三次元フラッシュメモリシステム | 2018年 6月 6日 | |
特許 6336541 | センス増幅器のためのトリミング可能な基準発生器 | 2018年 6月 6日 | |
特許 6324621 | シリコンオンインシュレータ基板を備えた埋め込みメモリデバイスの製造方法 | 2018年 5月16日 | |
特許 6311072 | EEPROM機能を有するフラッシュメモリシステム | 2018年 4月11日 | |
特許 6302492 | フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法 | 2018年 3月28日 | |
特許 6291584 | 自己整列浮遊及び消去ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法 | 2018年 3月14日 | |
特許 6282291 | トレンチ内に電荷トラップ層を有する不揮発性メモリセル、アレイ、及びその製造方法 | 2018年 2月21日 | |
特許 6282660 | 不揮発性メモリアレイ及びフラクショナルワードプログラミングのための不揮発性メモリアレイを使用する方法 | 2018年 2月21日 | |
特許 6281027 | 読み取り専用メモリ機能性を提供するように構成可能なフラッシュメモリ装置 | 2018年 2月14日 |
14 件中 1-14 件を表示
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6407488 6378216 6367491 6360263 6343721 6336466 6336541 6324621 6311072 6302492 6291584 6282291 6282660 6281027
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