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ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第1102位 25件
（
2018年：第796位 35件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第787位 27件
（
2018年：第967位 21件）
（ランキング更新日：2025年3月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2019-508840 | 高バルク抵抗を有する半導体ウェハーの注入方法 | 2019年 3月28日 | |
| 特表 2019-507237 | プラズマ源のイオン／ニュートラル比を制御する技術 | 2019年 3月14日 | |
| 特表 2019-507467 | セラミックのイオン源チャンバ | 2019年 3月14日 | |
| 特表 2019-504442 | 温度制御されるイオン源 | 2019年 2月14日 | |
| 特表 2019-504489 | ＤＲＡＭ装置用の不均一ゲート酸化物厚さ | 2019年 2月14日 | |
| 特表 2019-504493 | 基板の中へのドーパントの拡散の損傷のない増強 | 2019年 2月14日 | |
| 特表 2019-503567 | イオンビーム装置内の汚染制御用の装置及び方法 | 2019年 2月 7日 | |
| 特開 2019-17249 | 固体故障電流リミッタ | 2019年 1月31日 | |
| 特表 2019-501481 | 薄型の引出し電極アセンブリ | 2019年 1月17日 | |
| 特表 2019-501489 | 傾斜イオンビームを用いて空洞を満たすための装置及び技術 | 2019年 1月17日 |
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2019-508840 2019-507237 2019-507467 2019-504442 2019-504489 2019-504493 2019-503567 2019-17249 2019-501481 2019-501489
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