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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1299位 22件
(2016年:第944位 30件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第1441位 13件
(2016年:第2650位 6件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2017-535067 | アクティブ基板位置合わせシステム及び方法 | 2017年11月24日 | |
特表 2017-534145 | ワークピース処理方法および装置 | 2017年11月16日 | |
特表 2017-534168 | 基板をパターニングするシステム及び方法 | 2017年11月16日 | |
特表 2017-533165 | 融液上に成長した結晶シートの厚さを制御する装置および方法 | 2017年11月 9日 | |
特表 2017-533542 | 隠れ偏向電極を用いるイオンビームのイオン角度分布の制御 | 2017年11月 9日 | |
特表 2017-532280 | 高温度での材料厚の測定システム及び方法 | 2017年11月 2日 | |
特表 2017-527080 | タンデム加速器及びイオン注入システム | 2017年 9月14日 | |
特開 2017-163832 | 固体故障電流リミッタ | 2017年 9月14日 | |
特表 2017-523566 | イオン源の動的温度制御装置 | 2017年 8月17日 | |
特表 2017-520909 | 基板をエッチングする方法、デバイス構造をエッチングする方法及び処理装置 | 2017年 7月27日 | |
特表 2017-516979 | 赤外線を用いた半導体ワークピースの温度測定および較正技術 | 2017年 6月22日 | |
特表 2017-515778 | 融液処理装置 | 2017年 6月15日 | |
特表 2017-512739 | シリコン融液内の熱流を制御する装置 | 2017年 5月25日 | |
特表 2017-510932 | 処理装置内のイオン角度分布のその場制御 | 2017年 4月13日 | |
特表 2017-509578 | 冷却ブロック及びガス噴射を使用した結晶シート成長のためのシステム及び方法 | 2017年 4月 6日 |
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2017-535067 2017-534145 2017-534168 2017-533165 2017-533542 2017-532280 2017-527080 2017-163832 2017-523566 2017-520909 2017-516979 2017-515778 2017-512739 2017-510932 2017-509578
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2月21日(金) - 東京 千代田区
2月21日(金) - 東京 大田
パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月21日(金) -
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月21日(金) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
2月25日(火) -
2月26日(水) -
2月26日(水) -
2月26日(水) - 東京 港区
2月26日(水) -
2月26日(水) - 千葉 船橋市
2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
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