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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第4465位 4件
(2016年:第33513位 0件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第584位 42件
(2016年:第808位 29件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6253271 | 抵抗回路を通じて相互接続される電流搬送領域および分離構造体を有する半導体デバイスおよびドライバ回路ならびにその製造方法 | 2017年12月27日 | |
特許 6253401 | ワード線/行ドライバのためのバイアス電圧を用いるフラッシュメモリ | 2017年12月27日 | |
特許 6249548 | 側壁導体を有する積層マイクロ電子パッケージおよびその製造方法 | 2017年12月20日 | |
特許 6238431 | ビット線プリチャージ電圧が低減されたSRAMビットセル | 2017年11月29日 | |
特許 6233948 | 集積回路およびその動作方法 | 2017年11月22日 | |
特許 6233971 | スプリット・ゲート・ビット・セルのプログラミング | 2017年11月22日 | |
特許 6230178 | サンプルホールド回路および差動サンプルホールド回路 | 2017年11月15日 | |
特許 6230189 | 合致アドレスおよびデータ線の制御を備えるマルチポートメモリ | 2017年11月15日 | |
特許 6222800 | 基板貫通バイアを有する半導体構造および製造方法 | 2017年11月 1日 | |
特許 6222802 | ランダム値生成方法およびシステム | 2017年11月 1日 | |
特許 6222825 | ダイオード回路を通じて相互接続される能動素子および分離構造を有する半導体デバイスおよびドライバ回路、ならびにその製造方法 | 2017年11月 1日 | |
特許 6219676 | ランプアップ電圧からの保護 | 2017年10月25日 | |
特許 6214080 | 空隙を有する半導体パッケージ構造体および形成方法 | 2017年10月18日 | |
特許 6214083 | ソフトプログラミングを使用する不揮発性メモリ(NVM) | 2017年10月18日 | |
特許 6207051 | サンプルホールド回路 | 2017年10月 4日 |
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6253271 6253401 6249548 6238431 6233948 6233971 6230178 6230189 6222800 6222802 6222825 6219676 6214080 6214083 6207051
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