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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第4465位 4件
(2016年:第33513位 0件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第584位 42件
(2016年:第808位 29件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6207056 | クロックサイクルの第1の部分におけるワード線活性化によるクロック制御メモリ | 2017年10月 4日 | |
特許 6207057 | ラッチプレデコーダ回路を有するクロック制御メモリ | 2017年10月 4日 | |
特許 6200727 | 電流比に基づく熱センサシステムおよび方法 | 2017年 9月20日 | |
特許 6192209 | ワードレベルのパワーゲーティングを有するメモリ | 2017年 9月 6日 | |
特許 6188205 | 高降伏電圧を有するバイポーラトランジスタ | 2017年 8月30日 | |
特許 6183996 | ダイオード回路を通じて相互接続されるドレインおよび分離構造体を有する半導体デバイスおよびドライバ回路ならびにその製造方法 | 2017年 8月23日 | |
特許 6176826 | 起動回路を有する完全相補型自己バイアス差動受信機 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6176838 | 高絶縁破壊電圧LDMOSデバイス | 2017年 8月 9日 | |
特許 6172835 | ウェイクアップユニットを有する半導体デバイス及びその動作方法 | 2017年 8月 2日 | |
特許 6175312 | 差分容量出力を有する圧力センサ | 2017年 8月 2日 | |
特許 6168686 | 熱に敏感な半導体デバイスの熱への露出を低減するための方法および構造体 | 2017年 7月26日 | |
特許 6164767 | 密度の異なるナノ結晶を有する異なる複数の不揮発性メモリを有する半導体デバイスおよびそのための方法 | 2017年 7月19日 | |
特許 6161192 | 不揮発性メモリのセキュリティを実装するための方法 | 2017年 7月12日 | |
特許 6161201 | 半導体センサデバイスのパッケージングおよび方法 | 2017年 7月12日 | |
特許 6156841 | 抵抗回路を通じて相互接続されるアクティブデバイスおよび分離構造体を有する半導体デバイスおよびドライバ回路ならびにその製造方法 | 2017年 7月 5日 |
42 件中 16-30 件を表示
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6207056 6207057 6200727 6192209 6188205 6183996 6176826 6176838 6172835 6175312 6168686 6164767 6161192 6161201 6156841
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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2月25日(火) -
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2月26日(水) -
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2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
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