ホーム > 特許ランキング > ディーエヌエフ カンパニー リミテッド > 2018年 > 出願公開一覧
ディーエヌエフ カンパニー リミテッド
※ ログインすれば出願人(ディーエヌエフ カンパニー リミテッド)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2018年 出願公開件数ランキング 第5373位 3件
（
2017年：第5643位 3件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第3972位 3件
（2017年：第8798位 1件）
（ランキング更新日：2025年3月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
ディーエヌエフ カンパニー リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2018-182077 | 低誘電膜の形成方法及びこれを利用する半導体素子の製造方法 | 2018年11月15日 | |
| 特表 2018-528610 | プラズマ原子層蒸着法を用いたシリコン窒化薄膜の製造方法 | 2018年 9月27日 | |
| 特開 2018-90586 | スズ化合物、その合成方法、ＡＬＤ用スズ前駆体化合物、及びスズ含有物質膜の形成方法 | 2018年 6月14日 | |
| 特開 2018-48113 | アルミニウム化合物、及びそれを利用した薄膜形成方法、並びに集積回路素子の製造方法 | 2018年 3月29日 | |
| 特開 2018-35180 | 新規なトリシリルアミン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 | 2018年 3月 8日 | |
| 特開 2018-27962 | 新規なシクロジシラザン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 | 2018年 2月22日 |
6 件中 1-6 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2018-182077 2018-528610 2018-90586 2018-48113 2018-35180 2018-27962
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ディーエヌエフ カンパニー リミテッドの知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
3月26日(水) - 東京 港区
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) - 東京 港区
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月2日(水) -
4月2日(水) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
京都市伏見区深草大亀谷万帖敷町４４６－２ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
名古屋本部オフィス 〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅3-13-24 第一はせ川ビル6F http://aigipat.com/ 岐阜オフィス 〒509-0124 岐阜県各務原市鵜沼山崎町3丁目146番地1 PACビル2階（旧横山ビル） http://gifu.aigipat.com/ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
岐阜県各務原市つつじが丘１丁目１１１番地 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 コンサルティング
