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ディーエヌエフ カンパニー リミテッド
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第5373位 3件
（
2017年：第5643位 3件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第3972位 3件
（2017年：第8798位 1件）
（ランキング更新日：2024年9月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ディーエヌエフ カンパニー リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2018-182077 | 低誘電膜の形成方法及びこれを利用する半導体素子の製造方法 | 2018年11月15日 | |
| 特表 2018-528610 | プラズマ原子層蒸着法を用いたシリコン窒化薄膜の製造方法 | 2018年 9月27日 | |
| 特開 2018-90586 | スズ化合物、その合成方法、ＡＬＤ用スズ前駆体化合物、及びスズ含有物質膜の形成方法 | 2018年 6月14日 | |
| 特開 2018-48113 | アルミニウム化合物、及びそれを利用した薄膜形成方法、並びに集積回路素子の製造方法 | 2018年 3月29日 | |
| 特開 2018-35180 | 新規なトリシリルアミン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 | 2018年 3月 8日 | |
| 特開 2018-27962 | 新規なシクロジシラザン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 | 2018年 2月22日 |
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2018-182077 2018-528610 2018-90586 2018-48113 2018-35180 2018-27962
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