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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第2430位 8件
(
2024年:第3590位 5件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第3537位 4件
(
2024年:第27650位 0件)
(ランキング更新日:2026年11月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2025-542568 | 代謝物の高分子ナノ粒子及びその用途 | 2025年12月26日 | |
| 特開 2025-187974 | 錫ベースペロブスカイト電界効果トランジスタメモリー及びその製造方法 | 2025年12月25日 | |
| 特開 2025-184749 | 有機水素キャリアから高純度水素を抽出するための触媒およびその製造方法 | 2025年12月18日 | |
| 特表 2025-530118 | 液晶再構成可能インテリジェント・サーフェス・デバイス | 2025年 9月11日 | |
| 特表 2025-527284 | 退行性脳疾患の予防、改善または治療のための新規PPAR活性調節物質の用途 | 2025年 8月20日 | |
| 特開 2025-121407 | スパッタリングを用いた酸化テルル薄膜及び薄膜トランジスタの製造方法 | 2025年 8月19日 | |
| 特開 2025-118467 | 高エントロピー合金およびその製造方法 | 2025年 8月13日 | |
| 特表 2025-525785 | 非晶質酸化テルルを含む半導体、それを含む薄膜トランジスタ、及びその製造方法 | 2025年 8月 7日 | |
| 特表 2025-525354 | 医療用組成物 | 2025年 8月 5日 | |
| 特表 2025-523516 | 半導体装置の製造方法 | 2025年 7月23日 | |
| 特表 2025-522802 | 3次元NANDフラッシュメモリアレイの製造方法 | 2025年 7月17日 | |
| 特表 2025-523157 | エネルギー代謝改善のためのPPARアゴニストの用途 | 2025年 7月17日 | |
| 特表 2025-521671 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | 2025年 7月10日 | |
| 特表 2025-511274 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | 2025年 4月15日 | |
| 特開 2025-48686 | P2Pネットワークのブロックチェーンノード間E2E遅延推定システムおよび方法 | 2025年 4月 3日 |
15 件中 1-15 件を表示
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2025-542568 2025-187974 2025-184749 2025-530118 2025-527284 2025-121407 2025-118467 2025-525785 2025-525354 2025-523516 2025-522802 2025-523157 2025-521671 2025-511274 2025-48686
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