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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第4292位 4件
(2019年:第2176位 10件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第2756位 5件
(2019年:第2668位 5件)
(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2020-4674 | 多孔質炭素の製造方法及びこの製造方法により製造された多孔質炭素を含む電極及び触媒担体 | 2020年 7月 2日 | |
特開 2020-93977 | 多孔質炭素 | 2020年 6月18日 | |
再表 2018-207942 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 | 2020年 3月12日 | |
再表 2018-174105 | 改質SiCウエハの製造方法、エピタキシャル層付きSiCウエハ、その製造方法、及び表面処理方法 | 2020年 1月30日 | |
特開 2020-15643 | SiCウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
特開 2020-15644 | SiCウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
特開 2020-15645 | SiCウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
特開 2020-15646 | SiCウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
特開 2020-17626 | SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
特開 2020-17627 | SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 |
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2020-4674 2020-93977 2018-207942 2018-174105 2020-15643 2020-15644 2020-15645 2020-15646 2020-17626 2020-17627
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