東洋炭素株式会社
※ ログインすれば出願人(東洋炭素株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2020年 出願公開件数ランキング 第4292位 4件
（
2019年：第2176位 10件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第2756位 5件
（2019年：第2668位 5件）
（ランキング更新日：2025年6月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
東洋炭素株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 再表 2020-4674 | 多孔質炭素の製造方法及びこの製造方法により製造された多孔質炭素を含む電極及び触媒担体 | 2020年 7月 2日 | |
| 特開 2020-93977 | 多孔質炭素 | 2020年 6月18日 | |
| 再表 2018-207942 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 | 2020年 3月12日 | |
| 再表 2018-174105 | 改質ＳｉＣウエハの製造方法、エピタキシャル層付きＳｉＣウエハ、その製造方法、及び表面処理方法 | 2020年 1月30日 | |
| 特開 2020-15643 | ＳｉＣウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
| 特開 2020-15644 | ＳｉＣウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
| 特開 2020-15645 | ＳｉＣウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
| 特開 2020-15646 | ＳｉＣウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
| 特開 2020-17626 | ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 | |
| 特開 2020-17627 | ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法 | 2020年 1月30日 |
10 件中 1-10 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2020-4674 2020-93977 2018-207942 2018-174105 2020-15643 2020-15644 2020-15645 2020-15646 2020-17626 2020-17627
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。東洋炭素株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
6月11日(水) -
6月12日(木) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月10日(火) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒130-0022 東京都墨田区江東橋4-24-5 協新ビル402 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都新宿区新宿５－１０－１ 第２スカイビル６階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都府中市寿町一丁目１－１１ 第２福井ビル５階 No.2 Fukui Bldg. 5F 1-11, Kotobukicho 1chome, Fuchu-shi Tokyo JAPAN 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
