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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第2115位 10件
(2010年:第623位 61件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第494位 65件
(2010年:第555位 49件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4827237 | エピタキシャル成長装置及びノズルの生成物除去方法 | 2011年11月30日 | 共同出願 |
特許 4824926 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4827587 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4827199 | シリコンインゴットの結晶方位検出方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4824976 | 半導体ウェハの研磨方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4819551 | 単結晶引上げ装置の遠隔監視・操作装置 | 2011年11月24日 | |
特許 4822582 | ボロンドープされたシリコンウエハの熱処理方法 | 2011年11月24日 | |
特許 4817379 | 原料供給装置 | 2011年11月16日 | |
特許 4813313 | シリコン単結晶引上げ装置及び該装置に使用される黒鉛部材並びに黒鉛部材の劣化防止方法 | 2011年11月 9日 | |
特許 4809033 | 拡散ウェーハの製造方法 | 2011年11月 2日 | |
特許 4807767 | 単結晶シリコンの欠陥消滅方法 | 2011年11月 2日 | |
特許 4808832 | 無欠陥結晶の製造方法 | 2011年11月 2日 | |
特許 4799539 | シリコンのエッチング方法、シリコンのエッチング装置 | 2011年10月26日 | |
特許 4794137 | シリコン半導体基板の熱処理方法 | 2011年10月19日 | |
特許 4798480 | 半導体ウェーハの製造方法および両面研削方法並びに半導体ウェーハの両面研削装置 | 2011年10月19日 |
65 件中 1-15 件を表示
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4827237 4824926 4827587 4827199 4824976 4819551 4822582 4817379 4813313 4809033 4807767 4808832 4799539 4794137 4798480
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