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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第3287位 6件
(
2012年:第1902位 12件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第646位 51件
(
2012年:第926位 32件)
(ランキング更新日:2026年4月10日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5378732 | 半導体用ウエハの評価方法、半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハの製造工程の評価方法 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5378779 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5379432 | 半導体ウェーハの検査方法 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5378215 | 単結晶の製造方法 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5373423 | シリコン単結晶及びその製造方法 | 2013年12月18日 | |
| 特許 5367246 | 半導体ウェーハの研磨装置及び研磨方法 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5348966 | 研磨パッド | 2013年11月20日 | |
| 特許 5345785 | 分光吸収測定方法及び分光吸収測定装置 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5345511 | シリコン単結晶製造装置およびシリコン単結晶製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5343272 | 単結晶半導体製造装置および製造方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5329143 | シリコン単結晶引上装置 | 2013年10月30日 | |
| 特許 5317529 | 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置 | 2013年10月16日 | |
| 特許 5318365 | シリコン結晶素材及びこれを用いたFZシリコン単結晶の製造方法 | 2013年10月16日 | |
| 特許 5313534 | シリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法 | 2013年10月 9日 | |
| 特許 5302556 | シリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法 | 2013年10月 2日 |
51 件中 1-15 件を表示
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5378732 5378779 5379432 5378215 5373423 5367246 5348966 5345785 5345511 5343272 5329143 5317529 5318365 5313534 5302556
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