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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第7139位 2件
(
2013年:第3287位 6件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第1030位 27件
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2013年:第646位 51件)
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| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5639858 | インゴットの切断方法 | 2014年12月10日 | |
| 特許 5639860 | ウェーハの洗浄方法 | 2014年12月10日 | |
| 特許 5623249 | ウェーハの面取り方法 | 2014年11月12日 | |
| 特許 5586922 | ウェーハの製造方法及びウェーハの製造装置 | 2014年 9月10日 | |
| 特許 5574645 | 単結晶シリコンの製造方法 | 2014年 8月20日 | |
| 特許 5572091 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2014年 8月13日 | |
| 特許 5567800 | シリコン単結晶引上げ装置及び引上げ方法 | 2014年 8月 6日 | |
| 特許 5524453 | シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 | 2014年 6月18日 | |
| 特許 5463570 | ウェハ用両頭研削装置および両頭研削方法 | 2014年 4月 9日 | |
| 特許 5465465 | ウェーハ洗浄装置及びウェーハ製造方法 | 2014年 4月 9日 | |
| 特許 5458190 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | 2014年 4月 2日 | |
| 特許 5462479 | シリコン単結晶引上装置 | 2014年 4月 2日 | |
| 特許 5461849 | オートドープの検出方法 | 2014年 4月 2日 | |
| 特許 5461810 | 半導体ウェハの洗浄方法 | 2014年 4月 2日 | |
| 特許 5455393 | 半導体ウエハの再結合ライフタイム測定方法 | 2014年 3月26日 | 共同出願 |
27 件中 1-15 件を表示
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5639858 5639860 5623249 5586922 5574645 5572091 5567800 5524453 5463570 5465465 5458190 5462479 5461849 5461810 5455393
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