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三星電子株式会社

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  2014年 出願公開件数ランキング    第64位 609件 下降2013年:第61位 707件)

  2014年 特許取得件数ランキング    第80位 474件 下降2013年:第55位 679件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特開 2014-22037 メモリ装置、メモリシステム及び該メモリ装置の読み取り電圧の制御方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22033 リフレッシュ周期を調節する半導体メモリ装置、メモリシステム及びその動作方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22031 不揮発性メモリ装置とそれを含むメモリシステム及びそれらのメモリブロック管理、消去、及びプログラム方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22030 磁気メモリ装置 2014年 2月 3日
特開 2014-22752 窒化物系半導体素子及びその製造方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22751 磁気接合、磁気メモリ、改善された特性を有する磁気接合を提供するための方法、及びシステム 2014年 2月 3日
特開 2014-22745 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22743 TSV構造を有する集積回路素子及びその製造方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22742 窒化物系半導体素子及びその製造方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22738 半導体パッケージ及びその製造方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22730 磁気素子及びその製造方法 2014年 2月 3日
特開 2014-22729 半導体素子及びその製造方法 2014年 2月 3日
特開 2014-23427 モータ駆動信号生成システム、半導体装置、および電子装置 2014年 2月 3日
特開 2014-17484 有機光電材料、これを含む有機光電素子、及びイメージセンサー 2014年 1月30日
特開 2014-16989 入力感知方法及びその方法を処理する電子装置 2014年 1月30日

609 件中 556-570 件を表示

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2014-22037 2014-22033 2014-22031 2014-22030 2014-22752 2014-22751 2014-22745 2014-22743 2014-22742 2014-22738 2014-22730 2014-22729 2014-23427 2014-17484 2014-16989

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