三星電子株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第57位 657件
（
2010年：第73位 608件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第31位 872件
（
2010年：第31位 731件）
（ランキング更新日：2023年9月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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三星電子株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2011-258942 | 貫通電極を持つ半導体装置 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-256106 | 多層構造のナノ結晶およびその製造方法 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-259433 | 印刷制御端末装置及び色相補正方法 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-257733 | 立体映像表示装置用シャッタ眼鏡、立体映像表示装置用シャッタ眼鏡を含む立体映像表示システム及び立体映像表示システムの製造方法 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-258976 | ノードコンタクト構造体 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-257730 | 表示装置 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-259404 | 立体画像表示のためのディザ処理された画像データ生成方法及び画像データ生成装置 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-258949 | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-258973 | Ａｒ／ＮＨ３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-258977 | 半導体素子 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-255187 | 生体信号測定装置及び方法、インターフェース装置、生体信号のノイズ除去装置及び検出装置、並びにコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | 2011年12月22日 | |
| 特開 2011-253607 | 積層半導体メモリ装置、これを含むメモリシステム及び貫通電極の欠陥リペア方法 | 2011年12月15日 | |
| 特開 2011-253172 | 表示装置 | 2011年12月15日 | |
| 特開 2011-253608 | ダイナミック検証モード選択を有する不揮発性メモリー装置とその動作方法、駆動方法、並びにプログラミング方法、メモリーシステム、メモリーカード及びソリッドステートドライバー | 2011年12月15日 | |
| 特開 2011-253609 | 不揮発性メモリー装置、そのプログラム方法、不揮発性メモリー装置を含むメモリーシステム、電子装置及びシステム | 2011年12月15日 |
657 件中 1-15 件を表示
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2011-258942 2011-256106 2011-259433 2011-257733 2011-258976 2011-257730 2011-259404 2011-258949 2011-258973 2011-258977 2011-255187 2011-253607 2011-253172 2011-253608 2011-253609
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