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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第61位 707件
(2012年:第84位 516件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第55位 679件
(2012年:第32位 952件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5289845 | フラッシュメモリ装置及びそれのプログラム復旧方法 | 2013年 9月11日 | |
特許 5285671 | 逆自己整合方式を利用したツインONO形態のSONOSメモリ素子製造方法 | 2013年 9月11日 | |
特許 5284920 | 人間の視覚特性を考慮した映像の符号化装置、復号化装置、符号化方法、及び、復号化方法 | 2013年 9月11日 | |
特許 5285879 | イメージ撮像装置及びイメージ撮像装置の動作方法 | 2013年 9月11日 | |
特許 5289821 | 再マッピングされた不良ブロックアドレスを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法 | 2013年 9月11日 | |
特許 5280607 | 音声信号圧縮装置及び方法、音声信号復元装置及び方法、ならびにコンピュータ読取可能な記録媒体 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5280757 | フラッシュメモリシステム及びそのエラー訂正方法 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5283393 | メモリシステム及びそのシステムの命令の取扱方法 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5280756 | アドホックネットワークにおけるパケット送信経路設定方法およびこれを用いたネットワーク装置 | 2013年 9月 4日 | 共同出願 |
特許 5283114 | パターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5283436 | 窒化物系半導体発光素子 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5279178 | ストレージノード、そのストレージノードを有する半導体メモリ素子およびストレージノードの特性を改善した半導体メモリ素子の製造方法 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5280781 | 受信確認フレームの生成方法及びその装置 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5281110 | 窒化物半導体発光素子 | 2013年 9月 4日 | |
特許 5275623 | メモリコントローラ及びメモリシステム | 2013年 8月28日 |
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5289845 5285671 5284920 5285879 5289821 5280607 5280757 5283393 5280756 5283114 5283436 5279178 5280781 5281110 5275623
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5月30日(金) -
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6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
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