特許ランキング - 出願人詳細情報 -

三星電子株式会社

※ ログインすれば出願人(三星電子株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2012年出願公開件数ランキング　　　第84位　516件（2011年：第57位　657件）

　■　2012年特許取得件数ランキング　　　第32位　952件（2011年：第31位　872件）

（ランキング更新日：2025年8月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

三星電子株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特許 5020623	パワーオンシステムリセット回路	2012年 9月 5日
特許 5019345	臨時保存を利用したマルチストリーミング方法及び装置	2012年 9月 5日
特許 5021279	フラッシュメモリ装置及びそれのワードラインイネーブル方法	2012年 9月 5日
特許 5020852	情報記録媒体の記録再生方法	2012年 9月 5日
特許 5020608	低負荷ビットライン構造を有する不揮発性半導体メモリ及びそのプログラミング方法	2012年 9月 5日
特許 5020588	ページバッファ及びその駆動方法、並びにこれを具備した不揮発性メモリ装置	2012年 9月 5日
特許 5020507	磁気メモリ素子、磁気メモリ素子製造、及び磁気メモリ素子動作方法	2012年 9月 5日
特許 5020499	映像データの記録方法及びその記録装置	2012年 9月 5日
特許 5020489	リフレッシュの実行時に、リフレッシュするバンクの個数を可変できる半導体メモリ装置及びその動作方法	2012年 9月 5日
特許 5019344	均一な厚さのトンネル膜を有するＭＴＪ層を含む磁気抵抗メモリ及びその製造方法	2012年 9月 5日
特許 5019306	映像処理装置及びコンピュータプログラム	2012年 9月 5日
特許 5020598	半導体装置のデュアルゲート構造物及びその形成方法	2012年 9月 5日
特許 5020468	半導体装置の不揮発性キャパシタ、その不揮発性キャパシタを含む半導体メモリ素子およびその半導体メモリ素子の動作方法	2012年 9月 5日
特許 5020467	半導体装置の製造方法	2012年 9月 5日
特許 5020428	トップゲート形ポリシリコン薄膜トランジスター製造方法	2012年 9月 5日

952 件中 346-360 件を表示

... 24

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

5020623 5019345 5021279 5020852 5020608 5020588 5020507 5020499 5020489 5019344 5019306 5020598 5020468 5020467 5020428

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。三星電子株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数