三星電子株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第61位 707件
（
2012年：第84位 516件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第55位 679件
（
2012年：第32位 952件）
（ランキング更新日：2024年11月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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三星電子株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5348586 | 光学装置 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5346450 | 窒化物半導体発光素子 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5345877 | 圧電型マイクロスピーカー及びその製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5348372 | 半導体素子及びその製造方法並びにＤＲＡＭの製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5349735 | 複層構造のゲート電極を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5349812 | マイクロアレイ用マスクセット、これの製造方法、およびマスクセットを利用したマイクロアレイの製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5347200 | 半導体発光素子 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5345091 | 情報保存装置及びその動作方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5344810 | 磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5345774 | 微細コンタクトホールを有する半導体素子の製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5347203 | マルチパスチャネルの遅延スプレッドを推定する方法及び装置 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5340045 | 磁壁移動を利用した情報保存装置の駆動方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5340135 | 不揮発性半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶システム、および不揮発性半導体記憶装置のデータ書き換え方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5339716 | 抵抗メモリ素子及びその製造方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5336713 | 多接点位置変化感知装置、方法、およびこれを用いたモバイル機器 | 2013年11月 6日 |
679 件中 61-75 件を表示
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5348586 5346450 5345877 5348372 5349735 5349812 5347200 5345091 5344810 5345774 5347203 5340045 5340135 5339716 5336713
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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