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株式会社半導体エネルギー研究所
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第31位 1093件
（
2013年：第34位 1161件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第32位 1102件
（2013年：第34位 975件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社半導体エネルギー研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5519219 | 半導体装置 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5521103 | 半導体装置 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5521102 | 半導体装置 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5521021 | 半導体装置及び電子機器 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5520921 | 発光装置の作製方法 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5520902 | 発光装置の作製方法 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5520744 | 半導体基板の再生方法 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5520431 | 半導体装置の作製方法 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5519104 | 発光素子 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5518381 | カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5518366 | 薄膜トランジスタ | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5517441 | 半導体膜の形成方法、薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5514768 | レーザ照射装置および半導体装置の作製方法 | 2014年 6月 4日 | |
| 特許 5514870 | 有機金属錯体、発光材料、発光素子、発光装置、および電子機器 | 2014年 6月 4日 | |
| 特許 5512859 | 発光素子 | 2014年 6月 4日 |
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5519219 5521103 5521102 5521021 5520921 5520902 5520744 5520431 5519104 5518381 5518366 5517441 5514768 5514870 5512859
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