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独立行政法人産業技術総合研究所
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第93位 501件
（
2012年：第83位 517件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第42位 832件
（2012年：第31位 960件）
（ランキング更新日：2024年11月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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独立行政法人産業技術総合研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5327791 | 植物系材料の成形体の作製方法及び該方法により得られる成形体 | 2013年10月30日 | |
| 特許 5327782 | 二重絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびその製造方法 | 2013年10月30日 | |
| 特許 5327772 | サファイア基板上超電導酸化物多層薄膜及びその作製方法 | 2013年10月30日 | |
| 特許 5327821 | 液封式ポンプ | 2013年10月30日 | |
| 特許 5327794 | １，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オン化合物の製造方法 | 2013年10月30日 | |
| 特許 5327790 | 溶媒を用いた木材の流動成形 | 2013年10月30日 | |
| 特許 5321918 | 電子顕微鏡用試料作製方法 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5322229 | マイクロチップおよび培養条件探索方法 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5322055 | 多孔質発熱装置とその製造方法 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5322042 | メソ細孔壁を有する中空シリカマイクロカプセル及びその製造方法 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5322183 | イソシアナート化合物の製造方法 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5322169 | 炭化珪素絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたインバータ回路および論理ゲート回路 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5322017 | 製膜方法、製膜体、及び色素増感太陽電池 | 2013年10月23日 | 共同出願 |
| 特許 5322172 | 模擬眼底 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5317107 | 書き換え可能な液晶配向表面と配向記憶の評価法 | 2013年10月16日 |
832 件中 136-150 件を表示
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5327791 5327782 5327772 5327821 5327794 5327790 5321918 5322229 5322055 5322042 5322183 5322169 5322017 5322172 5317107
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