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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第158位 313件
(2012年:第176位 256件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第176位 235件
(2012年:第224位 173件)
(ランキング更新日:2025年6月6日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2013-181203 | 金属の混合溶液の分離方法 | 2013年 9月12日 | |
再表 2012-14688 | ZnO−MgO系スパッタリングターゲット用焼結体 | 2013年 9月12日 | |
特開 2013-181186 | ルテニウムの回収方法 | 2013年 9月12日 | |
特開 2013-181181 | 金の回収方法 | 2013年 9月12日 | |
特開 2013-181776 | 砒素の価数別分析方法および価数別分離方法 | 2013年 9月12日 | |
特開 2013-181236 | 電解銅箔及び二次電池用負極集電体 | 2013年 9月12日 | |
特開 2013-182709 | リチウムイオン電池用正極材から集電体及び正極活物質を分離回収する方法 | 2013年 9月12日 | |
再表 2012-11204 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | 2013年 9月 9日 | |
再表 2012-11294 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | 2013年 9月 9日 | |
特開 2013-177687 | イッテルビウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法。 | 2013年 9月 9日 | |
再表 2012-11329 | ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット | 2013年 9月 9日 | |
再表 2012-8334 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2013年 9月 9日 | |
特開 2013-174865 | 銅又は銅合金層上にインジウム−銀合金層を有する積層構造物、及び該積層構造物の製造方法 | 2013年 9月 5日 | |
特開 2013-173347 | 銅又は銅合金層上にインジウム−銀−コバルト合金層を有する積層構造物、及び該積層構造物の製造方法 | 2013年 9月 5日 | |
特開 2013-174019 | タンタルスパッタリングターゲット | 2013年 9月 5日 |
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2013-181203 2012-14688 2013-181186 2013-181181 2013-181776 2013-181236 2013-182709 2012-11204 2012-11294 2013-177687 2012-11329 2012-8334 2013-174865 2013-173347 2013-174019
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6月6日(金) -
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6月10日(火) -
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6月11日(水) -
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6月12日(木) -
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