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■ 2011年 出願公開件数ランキング 件
(
2010年: 件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 件
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2010年: 件)
(ランキング更新日:2026年10月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2011-238596 | 熱硬化型導電性ペーストおよび配線基板 | 2011年11月24日 | |
| 特開 2011-236205 | 新規化合物、金属抽出剤、及びその応用 | 2011年11月24日 | 共同出願 |
| 特開 2011-211217 | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | 2011年10月20日 | |
| 特開 2011-208278 | フレーク状銀粉及びその製造方法 | 2011年10月20日 | |
| 特開 2011-199315 | 金属−セラミックス接合基板 | 2011年10月 6日 | |
| 特開 2011-195851 | 低融点金属ナノ粒子の製造方法 | 2011年10月 6日 | |
| 特開 2011-183284 | 水素製造用触媒、水素製造用触媒の製造方法、水素製造方法、水素製造装置及び燃料電池システム | 2011年 9月22日 | 共同出願 |
| 特開 2011-162817 | 金属抽出剤、並びに、それを用いたパラジウムの抽出方法、及びジルコニウムの抽出方法 | 2011年 8月25日 | 共同出願 |
| 特開 2011-162816 | 金属抽出剤及びそれを用いたイットリウムの抽出方法 | 2011年 8月25日 | 共同出願 |
| 特開 2011-162882 | 強磁性金属粉末及びそれを用いた磁気記録媒体 | 2011年 8月25日 | |
| 特開 2011-149900 | シアノ金酸塩中の不純物分析方法 | 2011年 8月 4日 | |
| 特開 2011-119742 | III族窒化物半導体成長用基板、III族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子およびIII族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法 | 2011年 6月16日 | 共同出願 |
| 特開 2011-104634 | はんだ粉の製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
| 特開 2011-94236 | 低温焼成用銅粉または導電ペースト用銅粉 | 2011年 5月12日 | |
| 特開 2011-90330 | 電子写真現像用キャリアとその製造方法、および電子写真現像剤 | 2011年 5月 6日 | 共同出願 |
29 件中 1-15 件を表示
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2011-238596 2011-236205 2011-211217 2011-208278 2011-199315 2011-195851 2011-183284 2011-162817 2011-162816 2011-162882 2011-149900 2011-119742 2011-104634 2011-94236 2011-90330
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