特許ランキング - 出願人詳細情報 -

ＤＯＷＡホールディングス株式会社

※ ログインすれば出願人(ＤＯＷＡホールディングス株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第971位　29件（2010年：第1215位　24件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第1455位　16件（2010年：第681位　36件）

（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

ＤＯＷＡホールディングス株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2011-238596	熱硬化型導電性ペーストおよび配線基板	2011年11月24日
特開 2011-236205	新規化合物、金属抽出剤、及びその応用	2011年11月24日	共同出願
特開 2011-211217	金属−セラミックス接合回路基板の製造方法	2011年10月20日
特開 2011-208278	フレーク状銀粉及びその製造方法	2011年10月20日
特開 2011-199315	金属−セラミックス接合基板	2011年10月 6日
特開 2011-195851	低融点金属ナノ粒子の製造方法	2011年10月 6日
特開 2011-183284	水素製造用触媒、水素製造用触媒の製造方法、水素製造方法、水素製造装置及び燃料電池システム	2011年 9月22日	共同出願
特開 2011-162817	金属抽出剤、並びに、それを用いたパラジウムの抽出方法、及びジルコニウムの抽出方法	2011年 8月25日	共同出願
特開 2011-162816	金属抽出剤及びそれを用いたイットリウムの抽出方法	2011年 8月25日	共同出願
特開 2011-162882	強磁性金属粉末及びそれを用いた磁気記録媒体	2011年 8月25日
特開 2011-149900	シアノ金酸塩中の不純物分析方法	2011年 8月 4日
特開 2011-119742	ＩＩＩ族窒化物半導体成長用基板、ＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板、ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびＩＩＩ族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法	2011年 6月16日	共同出願
特開 2011-104634	はんだ粉の製造方法	2011年 6月 2日
特開 2011-94236	低温焼成用銅粉または導電ペースト用銅粉	2011年 5月12日
特開 2011-90330	電子写真現像用キャリアとその製造方法、および電子写真現像剤	2011年 5月 6日	共同出願

29 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2011-238596 2011-236205 2011-211217 2011-208278 2011-199315 2011-195851 2011-183284 2011-162817 2011-162816 2011-162882 2011-149900 2011-119742 2011-104634 2011-94236 2011-90330

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ＤＯＷＡホールディングス株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数