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ＤＯＷＡホールディングス株式会社

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ＤＯＷＡホールディングス株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2014-238957	正極活物質粉末およびその製造法	2014年12月18日
特開 2014-239030	正極活物質粉末およびその製造方法	2014年12月18日
特開 2014-211341	汚染物質の除去方法、磁性除染剤およびその製造方法	2014年11月13日	共同出願
特開 2014-210701	リチウムとニオブ錯体とを含有する溶液と、その製造方法	2014年11月13日
特開 2014-187078	金属−セラミックス接合回路基板およびその製造方法並びに検査方法	2014年10月 2日
特開 2014-181380	非鉄金属の電解採取方法およびそれに用いるアノードの製造方法	2014年 9月29日	共同出願
特開 2014-177433	環状フェノール硫化物の製造方法	2014年 9月25日	共同出願
特開 2014-172838	新規化合物、金属抽出剤、並びにパラジウム及び白金の少なくともいずれかの抽出方法	2014年 9月22日	共同出願
再表 2012-77242	カルコゲン化合物粉、カルコゲン化合物ペースト、カルコゲン化合物粉の製造方法、カルコゲン化合物ペーストの製造方法およびカルコゲン化合物薄膜の製造方法	2014年 5月19日
再表 2012-77243	カルコゲン化合物粉及びカルコゲン化合物ペースト及びそれらの製造方法	2014年 5月19日
特開 2014-82502	アルミニウム−セラミックス接合体	2014年 5月 8日
特開 2014-53619	金属−セラミックス接合回路基板の製造方法	2014年 3月20日
特開 2014-31587	酸素酸イオンの電解還元用電解槽	2014年 2月20日	共同出願
特開 2014-25094	Ｍｎ回収方法およびＭｎのジエチルジチオカルバミド酸塩	2014年 2月 6日	共同出願
特開 2014-22698	窒化物半導体成長用Ｓｉ基板およびそれを用いた電子デバイス用エピタキシャル基板およびそれらの製造方法	2014年 2月 3日

15 件中 1-15 件を表示

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2014-238957 2014-239030 2014-211341 2014-210701 2014-187078 2014-181380 2014-177433 2014-172838 2012-77242 2012-77243 2014-82502 2014-53619 2014-31587 2014-25094 2014-22698

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