特許ランキング - 出願人詳細情報 -

ＤＯＷＡホールディングス株式会社

※ ログインすれば出願人(ＤＯＷＡホールディングス株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2015年出願公開件数ランキング　　　第2275位　9件（2014年：第1590位　15件）

　■　2015年特許取得件数ランキング　　　第1854位　9件（2014年：第2147位　10件）

（ランキング更新日：2025年4月1日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

ＤＯＷＡホールディングス株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 5835961	金属の浸出方法	2015年12月24日
特許 5837756	新規化合物、金属抽出剤、及びその応用	2015年12月24日
特許 5813917	はんだ粉の製造方法	2015年11月17日
特許 5813972	リチウム−遷移金属複合酸化物粉末及びその製造方法並びに該粉末を用いた全固体リチウム電池用正極活物質	2015年11月17日
特許 5792927	酸化チタン電極の合成方法	2015年10月14日
特許 5764395	二次電池用電極材およびその製造方法	2015年 8月19日
特許 5759785	白金族金属を含有するブラストサンドからの白金族金属回収方法	2015年 8月 5日
特許 5755377	放射性セシウム除染剤の製造方法及び放射性セシウムの除去方法	2015年 7月29日
特許 5753960	放射性セシウム除染剤及び放射性セシウムの除去方法	2015年 7月22日
特許 5718734	二次電池用電極材およびその製造方法	2015年 5月13日
特許 5681427	リチウム−遷移金属酸化物粉体およびその製造方法、リチウムイオン電池用正極活物質、並びにリチウムイオン二次電池	2015年 3月11日
特許 5684551	ＩＩＩ族窒化物半導体成長用基板、ＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板、ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびＩＩＩ族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法	2015年 3月11日
特許 5665463	ＩＩＩ族窒化物半導体素子製造用基板およびＩＩＩ族窒化物半導体自立基板またはＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法	2015年 2月 4日

13 件中 1-13 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

5835961 5837756 5813917 5813972 5792927 5764395 5759785 5755377 5753960 5718734 5681427 5684551 5665463

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ＤＯＷＡホールディングス株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数