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コミッサリア　ア　レネルジー　アトミーク　エ　オ　ゼネルジ　ザルタナテイヴ

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コミッサリア　ア　レネルジー　アトミーク　エ　オ　ゼネルジ　ザルタナテイヴの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 5923521	核燃料、および放射性同位体の製作を目的とするターゲットの製作に使用可能なウランモリブデン基合金粉末	2016年 5月24日
特許 5916753	ナノインプリントリソグラフィ方法	2016年 5月11日
特許 5916720	室内の大火災の影響を制限するための改善された装置	2016年 5月11日
特許 5911801	中空域、好ましくは流体の循環用の中空域を有するモジュールを製作するための方法	2016年 4月27日
特許 5907871	圧電作動変形可能メンブレンを有する光学デバイス	2016年 4月26日
特許 5905015	熱伝達および湿気伝達を改良した二重空気流交換器	2016年 4月20日
特許 5905073	半導体構造体上の無触媒選択的成長方法	2016年 4月20日
特許 5898263	連接構造の動作をキャプチャするための処理方法	2016年 4月 6日
特許 5896586	圧電性材料を製造する方法	2016年 3月30日
特許 5890314	透過関数を使用して材料を認識する方法およびデバイス	2016年 3月22日
特許 5889180	固体の表面エネルギーを変更する方法	2016年 3月22日
特許 5883871	懸架されたビーム及びビームの変位を検出するピエゾ抵抗手段を有するデバイス及びデバイスを製造する方法	2016年 3月15日
特許 5883861	第一及び第二半導体の混合物から成る有機半導体層の製造方法	2016年 3月15日
特許 5883600	応答時間の速い作動によって膜を変形できる膜デバイス	2016年 3月15日
特許 5878520	途切れ途切れの半導体部分を有するマイクロエレクトロニックデバイスおよびかかるデバイスを製造するための方法	2016年 3月 8日

70 件中 46-60 件を表示

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5923521 5916753 5916720 5911801 5907871 5905015 5905073 5898263 5896586 5890314 5889180 5883871 5883861 5883600 5878520

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