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コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

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  2016年 出願公開件数ランキング    第484位 70件 下降2015年:第432位 80件)

  2016年 特許取得件数ランキング    第413位 70件 下降2015年:第348位 77件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 5923594 増大された容量を有するバイポーラ型電気化学的Liイオン電池 2016年 5月24日
特許 5916720 室内の大火災の影響を制限するための改善された装置 2016年 5月11日
特許 5916753 ナノインプリントリソグラフィ方法 2016年 5月11日
特許 5911801 中空域、好ましくは流体の循環用の中空域を有するモジュールを製作するための方法 2016年 4月27日
特許 5907871 圧電作動変形可能メンブレンを有する光学デバイス 2016年 4月26日
特許 5905015 熱伝達および湿気伝達を改良した二重空気流交換器 2016年 4月20日
特許 5905073 半導体構造体上の無触媒選択的成長方法 2016年 4月20日
特許 5898263 連接構造の動作をキャプチャするための処理方法 2016年 4月 6日
特許 5896586 圧電性材料を製造する方法 2016年 3月30日
特許 5889180 固体の表面エネルギーを変更する方法 2016年 3月22日
特許 5890314 透過関数を使用して材料を認識する方法およびデバイス 2016年 3月22日
特許 5883600 応答時間の速い作動によって膜を変形できる膜デバイス 2016年 3月15日
特許 5883861 第一及び第二半導体の混合物から成る有機半導体層の製造方法 2016年 3月15日
特許 5883871 懸架されたビーム及びビームの変位を検出するピエゾ抵抗手段を有するデバイス及びデバイスを製造する方法 2016年 3月15日
特許 5878520 途切れ途切れの半導体部分を有するマイクロエレクトロニックデバイスおよびかかるデバイスを製造するための方法 2016年 3月 8日

70 件中 46-60 件を表示

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5923594 5916720 5916753 5911801 5907871 5905015 5905073 5898263 5896586 5889180 5890314 5883600 5883861 5883871 5878520

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