出願人名に「アイメック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2011-258956 | 集積回路の冷却装置 | アイメック | 2011年12月22日 |
| 特開 2011-239779 | サンプルからの上部記録および下部記録のためのマイクロ電極グリッドアレイ | アイメック 他 | 2011年12月 1日 |
| 特開 2011-238909 | 垂直ＴＦＥＴの製造方法 | アイメック 他 | 2011年11月24日 |
| 特開 2011-238913 | 発光ダイオードの製造方法 | アイメック | 2011年11月24日 |
| 特開 2011-237411 | 間隙率を求める装置及び方法 | アイメック 他 | 2011年11月24日 |
| 特開 2011-232558 | 弾性現像ローラの再生方法 | 株式会社アイメックス | 2011年11月17日 |
| 特開 2011-224371 | 神経インタフェースをホスト神経系と接続するためのバイオハイブリッド型インプラント | アイメック 他 | 2011年11月10日 |
| 特表 2011-527124 | 半導体構造のドープ方法およびその半導体デバイス | アイメック | 2011年10月20日 |
| 特表 2011-526737 | 多重接合太陽電池モジュールおよびそのプロセス | アイメック | 2011年10月13日 |
| 特表 2011-526420 | 光電子デバイスを製造するための重合可能な化合物 | アイメック 他 | 2011年10月 6日 |
| 特開 2011-192826 | 全光２Ｒ再生 | アイメック 他 | 2011年 9月29日 |
| 特開 2011-152636 | 薄膜ウエハレベルパッケージ | アイメック 他 | 2011年 8月11日 |
| 特表 2011-523202 | 酸化層の形成方法 | アイメック | 2011年 8月 4日 |
| 特開 2011-148087 | マイクロマシンデバイスの製造方法およびマイクロマシンデバイス | アイメック 他 | 2011年 8月 4日 |
| 特開 2011-146684 | 単結晶ゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムを形成する方法 | アイメック 他 | 2011年 7月28日 |
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2011-258956 2011-239779 2011-238909 2011-238913 2011-237411 2011-232558 2011-224371 2011-527124 2011-526737 2011-526420 2011-192826 2011-152636 2011-523202 2011-148087 2011-146684
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