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出願人名に「アイメック」を含むもの

公報番号発明の名称出願人公報発行日
特開 2014-241275 固体電池およびその製造方法 アイメック 2014年12月25日
特開 2014-239440 高調波除去ミキサにおいて2次歪みを低減するための方法 アイメック 他 2014年12月18日
特表 2014-533463 センサアレイ上にインターリーブ配置された画像コピーのオーバーラップしたセグメントを備えたスペクトルカメラ アイメック 2014年12月11日
特表 2014-533355 センサアレイ上に多重隣接画像コピーを投影するためのミラーを備えたスペクトルカメラ アイメック 2014年12月11日
特表 2014-533072 再構成可能なPV構成 アイメック 2014年12月 8日
特開 2014-229900 III−V族デバイスおよびその製造方法 アイメック 2014年12月 8日
特開 2014-229905 不揮発性メモリ半導体デバイスおよびその製造方法 アイメック 2014年12月 8日
特開 2014-220496 トランジスタデバイスのゲート金属層を設ける方法および関連するトランジスタ アイメック 2014年11月20日
特開 2014-212316 ショットキーダイオードおよび高電子移動度トランジスタを備えた半導体デバイスの製造方法 アイメック 2014年11月13日
特開 2014-204122 グラフェン系の電界効果トランジスタ アイメック 他 2014年10月27日
特表 2014-527296 相互嵌合型電極形成 アイメック 2014年10月 9日
特表 2014-527297 異なってドープされた領域のパターンの形成方法 アイメック 2014年10月 9日
特開 2014-183312 ヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池の製造方法 アイメック 2014年 9月29日
特開 2014-175653 不動態化したIII−V族またはGeフィン形状電界効果トランジスタ アイメック 2014年 9月22日
特開 2014-170971 太陽電池用ポリチオフェン系活性層 アイメック 他 2014年 9月18日

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2014-241275 2014-239440 2014-533463 2014-533355 2014-533072 2014-229900 2014-229905 2014-220496 2014-212316 2014-204122 2014-527296 2014-527297 2014-183312 2014-175653 2014-170971

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