出願人名に「アイメック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2013-545354 | ＭＥＭＳデバイス用のマルチ温度マイクロオーブンの設計および制御 | アイメック 他 | 2013年12月19日 |
| 特表 2013-543266 | 縦型半導体メモリデバイス及びその製造方法 | アイメック | 2013年11月28日 |
| 特開 2013-228736 | ホログラフィック反射撮像装置および方法 | アイメック | 2013年11月 7日 |
| 特開 2013-228735 | ホログラフィック反射撮像装置および方法 | アイメック | 2013年11月 7日 |
| 特表 2013-538339 | 活性ドーパントプロファイルの決定方法 | アイメック 他 | 2013年10月10日 |
| 特開 2013-208953 | セミクローラ | 株式会社アイメック | 2013年10月10日 |
| 特表 2013-535110 | 薄膜トランジスタの製造方法及びトランジスタ回路 | アイメック 他 | 2013年 9月 9日 |
| 特表 2013-533959 | ドープした半導体領域の活性ドーピング濃度の決定方法 | アイメック 他 | 2013年 8月29日 |
| 特開 2013-166689 | 欠陥の無いヘテロエピタキシャルのためのマスク構造および方法 | アイメック | 2013年 8月29日 |
| 特開 2013-162131 | 自己絶縁型導電性ブリッジメモリデバイス | アイメック | 2013年 8月19日 |
| 特開 2013-153151 | トンネル電界効果トランジスタ及びその製造方法 | アイメック | 2013年 8月 8日 |
| 特開 2013-148906 | マイクロミラーアレイの校正 | アイメック | 2013年 8月 1日 |
| 特開 2013-145874 | ＥＵＶフォトレジスト封入 | アイメック | 2013年 7月25日 |
| 特開 2013-145882 | インプラントフリー量子井戸トランジスタ、そのようなインプラントフリー量子井戸トランジスタの作製方法、およびそのようなインプラントフリー量子井戸トランジスタの使用 | アイメック 他 | 2013年 7月25日 |
| 特開 2013-143566 | ＬＥＤデバイスの製造方法 | アイメック | 2013年 7月22日 |
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2013-545354 2013-543266 2013-228736 2013-228735 2013-538339 2013-208953 2013-535110 2013-533959 2013-166689 2013-162131 2013-153151 2013-148906 2013-145874 2013-145882 2013-143566
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