出願人名に「アイメック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 4837737 | 分配されたアナログリソースを伴うシステム | アイメック 他 | 2011年12月14日 |
| 特許 4832819 | タングステン系のバリアメタルと一体化された銅を化学機械研磨するためのスラリー組成物及び方法 | アイメック | 2011年12月 7日 |
| 特許 4809844 | 半導体基板のキャリア濃度レベルと電気接合深さを独立して引き出す方法および装置 | アイメック | 2011年11月 9日 |
| 特許 4809638 | 液浸リソグラフィの方法および装置 | アイメック | 2011年11月 9日 |
| 特許 4801356 | 深溝エアギャップの形成とその関連応用 | アイメック | 2011年10月26日 |
| 特許 4791059 | エアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイスの製造方法 | アイメック 他 | 2011年10月12日 |
| 特許 4772188 | 強誘電コンデンサの作成方法および基板上にＰＺＴ層を成長させる方法 | アイメック | 2011年 9月14日 |
| 特許 4769638 | 原子層成長法 | アイメック | 2011年 9月 7日 |
| 特許 4750400 | 半導体基盤に活性化不純物の階層構造を提供する方法 | アイメック 他 | 2011年 8月17日 |
| 特許 4751004 | 厚さが異なる領域を有するデバイスまたはデバイス層の製造方法 | アイメック | 2011年 8月17日 |
| 特許 4733319 | プローブチップ構造の製造方法 | アイメック | 2011年 7月27日 |
| 特許 4722448 | 半導体の接続領域の接触抵抗を低減する方法 | アイメック 他 | 2011年 7月13日 |
| 特許 4699719 | Ｈｉｇｈ−ｋ物質を選択的に除去する方法 | アイメック | 2011年 6月15日 |
| 特許 4690521 | 広い範囲の波長で同調可能な集積化された半導体装置及び広い範囲の波長で同調可能な半導体装置のための方法 | アイメック 他 | 2011年 6月 1日 |
| 特許 4678074 | セミクローラ | 株式会社アイメック | 2011年 4月27日 |
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4837737 4832819 4809844 4809638 4801356 4791059 4772188 4769638 4750400 4751004 4733319 4722448 4699719 4690521 4678074
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