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株式会社サイオクス

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  2019年 出願公開件数ランキング    第912位 32件 上昇2018年:第1087位 24件)

  2019年 特許取得件数ランキング    第1357位 13件 上昇2018年:第2781位 5件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2019-147726 窒化物結晶基板の製造方法、窒化物結晶基板および結晶成長用基板 2019年 9月 5日
特開 2019-125737 窒化物半導体エピタキシャル基板 2019年 7月25日
特開 2019-117943 圧電薄膜付き積層基板および圧電薄膜素子 2019年 7月18日
特開 2019-112266 窒化物半導体基板、半導体積層物、積層構造体、窒化物半導体基板の製造方法および半導体積層物の製造方法 2019年 7月11日
特開 2019-112268 GaN基板およびその製造方法 2019年 7月11日
特開 2019-114732 圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電素子 2019年 7月11日
特開 2019-77600 窒化物半導体基板、半導体積層物、基板選別プログラム、基板データ出力プログラム、基板データ出力プログラム付き窒化物半導体基板、オフ角座標マップ、オフ角座標マップ付き窒化物半導体基板、半導体装置選別プログラム、窒化物半導体基板の製造方法、半導体積層物の製造方法、半導体装置の製造方法および基板データ出力方法 2019年 5月23日
特開 2019-73425 GaN基板 2019年 5月16日
再表 2017-216997 窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体テンプレートの製造方法および窒化物半導体自立基板の製造方法 2019年 4月 4日
特開 2019-26526 半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法、半導体積層物および半導体装置 2019年 2月21日
特開 2019-29568 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法 2019年 2月21日
特開 2019-19041 GaN基板 2019年 2月 7日
特開 2019-21994 圧電膜を有する積層基板、圧電膜を有する素子および圧電膜を有する積層基板の製造方法 2019年 2月 7日
特開 2019-9329 膜厚測定方法、窒化物半導体積層物の製造方法および窒化物半導体積層物 2019年 1月17日
特開 2019-9426 膜厚測定方法、窒化物半導体積層物の製造方法および窒化物半導体積層物 2019年 1月17日

34 件中 16-30 件を表示

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2019-147726 2019-125737 2019-117943 2019-112266 2019-112268 2019-114732 2019-77600 2019-73425 2017-216997 2019-26526 2019-29568 2019-19041 2019-21994 2019-9329 2019-9426

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