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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「サムコ株式会社」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
特開
2011-228357
|
有機金属気相成長装置 | サムコ株式会社 | 2011年11月10日 |
| 特開
2011-134800
|
エッチング方法及びプラズマ処理装置 | サムコ株式会社 | 2011年 7月 7日 |
| 特開
2011-114178
|
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | サムコ株式会社 | 2011年 6月 9日 |
| 特開
2011-91374
|
サファイア基板のエッチング方法 | サムコ株式会社 | 2011年 5月 6日 |
| 特開
2011-82227
|
半導体素子の製造方法及び半導体素子 | サムコ株式会社 | 2011年 4月21日 |
| 特開
2011-66356
|
薄膜製造装置 | サムコ株式会社 | 2011年 3月31日 |
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2011-228357 2011-134800 2011-114178 2011-91374 2011-82227 2011-66356
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