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マイクロン テクノロジー, インク.

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 ■ 2024年 出願公開件数ランキング    第1173位 20件 (下降2023年:第422位 77件)

 ■ 2024年 特許取得件数ランキング    第591位 43件 (下降2023年:第586位 45件)

(ランキング更新日:2026年10月13日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2024-546439 通信における外部でキャプチャされたコンテンツの共有 2024年12月24日
特表 2024-545632 マイクロ電子デバイスを形成する方法、並びに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイス、及び電子システム 2024年12月10日
特開 2024-166265 メモリサブシステムの動的コマンド拡張 2024年11月28日
特開 2024-164158 集積アセンブリ及び集積アセンブリを形成する方法 2024年11月26日
特表 2024-543564 メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法 2024年11月21日
特開 2024-153817 隣接機構間に導電性パイプを形成する方法及び隣接機構間に導電性パイプを有する集積アセンブリ 2024年10月29日
特表 2024-538777 マイクロ電子デバイスを形成する方法、並びに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイス、及び電子システム 2024年10月23日
特表 2024-538272 熱放散のためのモノリシックシリコン構造体を含む半導体デバイスアセンブリ及びその製造方法 2024年10月18日
特表 2024-538092 コンタクト構造体を含むマイクロ電子デバイス、並びに関連するメモリデバイス、電子システム、及び方法 2024年10月18日
特表 2024-536602 熱放散のためのモノリシックシリコン構造体を含む半導体デバイスアセンブリ及びその製造方法 2024年10月 4日
特表 2024-534418 大きいコードワードのRAIN保護のための冗長メタデータ方式 2024年 9月20日
特表 2024-532908 段階状の層に広がる多重ステップ接点を有するマイクロエレクトロニクスデバイス、並びに関連システム及び方法 2024年 9月10日
特表 2024-532251 メモリデバイス内のメモリアクセスコマンドキューを使用したメモリ性能の向上 2024年 9月 5日
特表 2024-531174 ウエハーオンウエハーボンドが施されたメモリダイ及びロジックダイの形成 2024年 8月29日
特表 2024-531173 メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法 2024年 8月29日

20 件中 1-15 件を表示

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2024-546439 2024-545632 2024-166265 2024-164158 2024-543564 2024-153817 2024-538777 2024-538272 2024-538092 2024-536602 2024-534418 2024-532908 2024-532251 2024-531174 2024-531173

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