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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第546位 62件 (2018年:第820位 34件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第668位 33件 (2018年:第494位 51件)
(ランキング更新日:2025年1月31日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2019-215950 | メモリ装置におけるプログラム禁止 | 2019年12月19日 | |
特表 2019-536190 | メモリセル内で負のボディ電位を確立することを含む装置および方法 | 2019年12月12日 | |
特表 2019-536257 | ハイブリッドメモリデバイス | 2019年12月12日 | |
特表 2019-534529 | 強誘電体メモリを含み、強誘電体メモリを動作するための装置及び方法 | 2019年11月28日 | |
特開 2019-204965 | 導電性ラインを含むデバイスを形成する方法 | 2019年11月28日 | |
特表 2019-532453 | マルチレベルメモリセルを含む装置およびその動作方法 | 2019年11月 7日 | |
特表 2019-532514 | 高効率熱経路およびモールドアンダーフィルを有する積層型半導体ダイアセンブリ | 2019年11月 7日 | |
特表 2019-531595 | 2次元材料構造体を含む半導体デバイス構造体を形成する方法 | 2019年10月31日 | |
特表 2019-530945 | 強誘電体メモリを含む装置および強誘電体メモリにアクセスするための方法 | 2019年10月24日 | |
特表 2019-530946 | メモリ用の冗長アレイ列デコーダ | 2019年10月24日 | |
特表 2019-530974 | 強誘電体メモリセル | 2019年10月24日 | |
特表 2019-528546 | マルチデッキメモリデバイス及び操作 | 2019年10月10日 | |
特開 2019-169234 | メモリアクセス動作中に、メモリの複数のメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法 | 2019年10月 3日 | |
特開 2019-165231 | 半導体構造を形成する方法 | 2019年 9月26日 | |
特開 2019-165235 | クロスポイントメモリと、その製造方法 | 2019年 9月26日 |
62 件中 1-15 件を表示
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2019-215950 2019-536190 2019-536257 2019-534529 2019-204965 2019-532453 2019-532514 2019-531595 2019-530945 2019-530946 2019-530974 2019-528546 2019-169234 2019-165231 2019-165235
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1月31日(金) -
1月31日(金) -
2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
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