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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2019年 出願公開件数ランキング    第546位 62件 上昇2018年:第820位 34件)

  2019年 特許取得件数ランキング    第668位 33件 下降2018年:第494位 51件)

(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2019-215950 メモリ装置におけるプログラム禁止 2019年12月19日
特表 2019-536190 メモリセル内で負のボディ電位を確立することを含む装置および方法 2019年12月12日
特表 2019-536257 ハイブリッドメモリデバイス 2019年12月12日
特表 2019-534529 強誘電体メモリを含み、強誘電体メモリを動作するための装置及び方法 2019年11月28日
特開 2019-204965 導電性ラインを含むデバイスを形成する方法 2019年11月28日
特表 2019-532453 マルチレベルメモリセルを含む装置およびその動作方法 2019年11月 7日
特表 2019-532514 高効率熱経路およびモールドアンダーフィルを有する積層型半導体ダイアセンブリ 2019年11月 7日
特表 2019-531595 2次元材料構造体を含む半導体デバイス構造体を形成する方法 2019年10月31日
特表 2019-530945 強誘電体メモリを含む装置および強誘電体メモリにアクセスするための方法 2019年10月24日
特表 2019-530946 メモリ用の冗長アレイ列デコーダ 2019年10月24日
特表 2019-530974 強誘電体メモリセル 2019年10月24日
特表 2019-528546 マルチデッキメモリデバイス及び操作 2019年10月10日
特開 2019-169234 メモリアクセス動作中に、メモリの複数のメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法 2019年10月 3日
特開 2019-165231 半導体構造を形成する方法 2019年 9月26日
特開 2019-165235 クロスポイントメモリと、その製造方法 2019年 9月26日

62 件中 1-15 件を表示

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2019-215950 2019-536190 2019-536257 2019-534529 2019-204965 2019-532453 2019-532514 2019-531595 2019-530945 2019-530946 2019-530974 2019-528546 2019-169234 2019-165231 2019-165235

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