特許ランキング - 出願人詳細情報 -

マイクロン　テクノロジー，　インク．

※ ログインすれば出願人(マイクロン　テクノロジー，　インク．)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2018年出願公開件数ランキング　　　第766位　34件（2017年：第588位　52件）

　■　2018年特許取得件数ランキング　　　第494位　51件（2017年：第306位　94件）

（ランキング更新日：2026年10月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年 2026年

マイクロン　テクノロジー，　インク．の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2018-198321	クロスポイントメモリおよびその製造方法	2018年12月13日
特表 2018-536998	強誘電体キャパシタ、強誘電体電界効果トランジスタ、並びに導電材料及び強誘電体材料を含む電子部品の形成に用いられる方法	2018年12月13日
特表 2018-536989	３次元メモリ装置および使用方法	2018年12月13日
特表 2018-533154	強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル	2018年11月 8日
特表 2018-532219	書き込みカウントに基づいて書き込みパラメータを調整する装置および方法	2018年11月 1日
特表 2018-526833	アンダーバンプメタル構造体用のカラー並びに関連するシステム及び方法	2018年 9月13日
特開 2018-142394	仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法	2018年 9月13日
特開 2018-142395	仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法	2018年 9月13日
特表 2018-525764	消去デバイアスを用いてメモリを動作させる装置、及び方法	2018年 9月 6日
特表 2018-525823	導電線を含む半導体デバイス、および、導電線を含む半導体デバイスの製造方法	2018年 9月 6日
特開 2018-139118	自律的メモリの方法及びシステム	2018年 9月 6日
特開 2018-136971	メモリへの電力利用可能性情報の供給	2018年 8月30日
特表 2018-523253	メモリ装置におけるプログラム禁止	2018年 8月16日
特表 2018-521441	仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法	2018年 8月 2日
特表 2018-521511	磁気トンネル接合	2018年 8月 2日

34 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2018-198321 2018-536998 2018-536989 2018-533154 2018-532219 2018-526833 2018-142394 2018-142395 2018-525764 2018-525823 2018-139118 2018-136971 2018-523253 2018-521441 2018-521511

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2026年特許出願件数	2026年特許取得件数
2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数