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マイクロン　テクノロジー，　インク．

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マイクロン　テクノロジー，　インク．の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2018-536989	３次元メモリ装置および使用方法	2018年12月13日
特表 2018-536998	強誘電体キャパシタ、強誘電体電界効果トランジスタ、並びに導電材料及び強誘電体材料を含む電子部品の形成に用いられる方法	2018年12月13日
特開 2018-198321	クロスポイントメモリおよびその製造方法	2018年12月13日
特表 2018-533154	強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル	2018年11月 8日
特表 2018-532219	書き込みカウントに基づいて書き込みパラメータを調整する装置および方法	2018年11月 1日
特表 2018-526833	アンダーバンプメタル構造体用のカラー並びに関連するシステム及び方法	2018年 9月13日
特開 2018-142394	仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法	2018年 9月13日
特開 2018-142395	仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法	2018年 9月13日
特表 2018-525764	消去デバイアスを用いてメモリを動作させる装置、及び方法	2018年 9月 6日
特表 2018-525823	導電線を含む半導体デバイス、および、導電線を含む半導体デバイスの製造方法	2018年 9月 6日
特開 2018-139118	自律的メモリの方法及びシステム	2018年 9月 6日
特開 2018-136971	メモリへの電力利用可能性情報の供給	2018年 8月30日
特表 2018-523253	メモリ装置におけるプログラム禁止	2018年 8月16日
特表 2018-521441	仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法	2018年 8月 2日
特表 2018-521511	磁気トンネル接合	2018年 8月 2日

34 件中 1-15 件を表示

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2018-536989 2018-536998 2018-198321 2018-533154 2018-532219 2018-526833 2018-142394 2018-142395 2018-525764 2018-525823 2018-139118 2018-136971 2018-523253 2018-521441 2018-521511

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