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マイクロン テクノロジー， インク．
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第588位 52件
（
2016年：第216位 189件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第306位 94件
（
2016年：第361位 82件）
（ランキング更新日：2026年10月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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マイクロン テクノロジー， インク．の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-224830 | ３次元メモリアレイアーキテクチャ | 2017年12月21日 | |
| 特表 2017-538206 | メモリウェアレベリング | 2017年12月21日 | |
| 特表 2017-537470 | クロスポイントメモリと、その製造方法 | 2017年12月14日 | |
| 特表 2017-537463 | メモリセル適用のための選択デバイス | 2017年12月14日 | |
| 特表 2017-537424 | 区分化ＳＧＳ線用の装置および方法 | 2017年12月14日 | |
| 特開 2017-216611 | 半導体装置 | 2017年12月 7日 | |
| 特表 2017-536729 | 安全な共有鍵共有システム及び方法 | 2017年12月 7日 | |
| 特表 2017-535940 | 金属カルコゲナイドを含むデバイス | 2017年11月30日 | |
| 特表 2017-535073 | メモリセル、半導体デバイスおよび製造方法 | 2017年11月24日 | |
| 特表 2017-535064 | 製造過程の半導体ウェーハおよび製造過程関連のウェーハおよびシステムの周辺を保護する方法 | 2017年11月24日 | |
| 特開 2017-182854 | 半導体装置 | 2017年10月 5日 | |
| 特表 2017-527897 | メモリの異なるメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法 | 2017年 9月21日 | |
| 特表 2017-527062 | 相変化メモリセルの核形成の増進 | 2017年 9月14日 | |
| 特表 2017-526077 | 温度独立型電流生成用装置 | 2017年 9月 7日 | |
| 特表 2017-525061 | メモリへの電力利用可能性情報の供給 | 2017年 8月31日 |
52 件中 1-15 件を表示
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2017-224830 2017-538206 2017-537470 2017-537463 2017-537424 2017-216611 2017-536729 2017-535940 2017-535073 2017-535064 2017-182854 2017-527897 2017-527062 2017-526077 2017-525061
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