ホーム > 特許ランキング > マイクロン テクノロジー, インク. > 2020年 > 出願公開一覧
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第445位 72件
(
2019年:第511位 62件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第565位 40件
(
2019年:第668位 33件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2020-191154 | FERAM−DRAMハイブリッドメモリ | 2020年11月26日 | |
| 特表 2020-534691 | 三次元メモリアレイ | 2020年11月26日 | |
| 特開 2020-188281 | メモリデバイス及びそれを形成する方法 | 2020年11月19日 | |
| 特表 2020-532818 | 電力喪失への応答 | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532791 | ランダム・アクセス及び強誘電体メモリのためのウェア・レベリング | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532792 | 管理されたNVM適合キャッシュ管理 | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532854 | 半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法 | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532855 | 半導体デバイス、ハイブリッド・トランジスタおよび関連方法 | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532862 | 遮蔽メモリアーキテクチャのための装置及び方法 | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532856 | 高バンド・ギャップ材料を含むストリング・ドライバを備えたデバイス及びシステム、並びに形成の方法 | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532863 | 三次元メモリアレイ | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532861 | メモリアレイに結合される復号回路 | 2020年11月12日 | |
| 特表 2020-532037 | 仮想ページ・サイズを有するメモリ | 2020年11月 5日 | |
| 特表 2020-532039 | 自己参照メモリ・デバイス | 2020年11月 5日 | |
| 特表 2020-531988 | オン・デマンド・メモリ・ページ・サイズ | 2020年11月 5日 |
72 件中 1-15 件を表示
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2020-191154 2020-534691 2020-188281 2020-532818 2020-532791 2020-532792 2020-532854 2020-532855 2020-532862 2020-532856 2020-532863 2020-532861 2020-532037 2020-532039 2020-531988
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