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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2020年 出願公開件数ランキング    第462位 72件 上昇2019年:第546位 62件)

  2020年 特許取得件数ランキング    第565位 40件 上昇2019年:第668位 33件)

(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2020-534691 三次元メモリアレイ 2020年11月26日
特開 2020-191154 FERAM−DRAMハイブリッドメモリ 2020年11月26日
特開 2020-188281 メモリデバイス及びそれを形成する方法 2020年11月19日
特表 2020-532791 ランダム・アクセス及び強誘電体メモリのためのウェア・レベリング 2020年11月12日
特表 2020-532792 管理されたNVM適合キャッシュ管理 2020年11月12日
特表 2020-532818 電力喪失への応答 2020年11月12日
特表 2020-532854 半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法 2020年11月12日
特表 2020-532855 半導体デバイス、ハイブリッド・トランジスタおよび関連方法 2020年11月12日
特表 2020-532856 高バンド・ギャップ材料を含むストリング・ドライバを備えたデバイス及びシステム、並びに形成の方法 2020年11月12日
特表 2020-532861 メモリアレイに結合される復号回路 2020年11月12日
特表 2020-532862 遮蔽メモリアーキテクチャのための装置及び方法 2020年11月12日
特表 2020-532863 三次元メモリアレイ 2020年11月12日
特表 2020-531988 オン・デマンド・メモリ・ページ・サイズ 2020年11月 5日
特表 2020-532037 仮想ページ・サイズを有するメモリ 2020年11月 5日
特表 2020-532038 メモリの検知動作 2020年11月 5日

72 件中 1-15 件を表示

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2020-534691 2020-191154 2020-188281 2020-532791 2020-532792 2020-532818 2020-532854 2020-532855 2020-532856 2020-532861 2020-532862 2020-532863 2020-531988 2020-532037 2020-532038

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