ソワテク
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第3467位 5件
（
2011年： 0件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第1326位 20件
（2011年： 0件）
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ソワテクの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5054509 | 光検出装置 | 2012年10月24日 | |
| 特許 5051962 | 基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法、およびこの製造方法により得られる基板 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5047609 | 除去構造を含んでなるウェハーの、その薄層を除去した後の、機械的手段による循環使用 | 2012年10月10日 | |
| 特許 5032743 | バッファ層を有しないウエハからの緩和された有用層の形成 | 2012年 9月26日 | |
| 特許 5031365 | エピタキシャル成長層の形成方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5031364 | エピタキシャル成長層の形成方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5025957 | 欠陥クラスタを有する基板内に形成された薄い層を転写する方法 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5005097 | 複合構造上でエピタキシーによって成長する層の製造方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 4999272 | 共注入後に中温で薄膜を分離する方法 | 2012年 8月15日 | 共同出願 |
| 特許 4980049 | 遷移後の薄層の緩和 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4975642 | ＳｉＧｅ構造の形成および処理 | 2012年 7月11日 | |
| 特許 4949021 | 改良された安定化アニール方法 | 2012年 6月 6日 | |
| 特許 4949014 | 薄層を除去した後の多層構造を備えるウェハのリサイクル | 2012年 6月 6日 | |
| 特許 4942343 | シリコン板にキャビティーを形成する方法 | 2012年 5月30日 | |
| 特許 4926652 | 層の緩和 | 2012年 5月 9日 |
20 件中 1-15 件を表示
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5054509 5051962 5047609 5032743 5031365 5031364 5025957 5005097 4999272 4980049 4975642 4949021 4949014 4942343 4926652
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