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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第4398位 4件 (2020年:第7573位 2件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第2213位 7件 (2020年:第3265位 4件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6965260 | ドナー基板への注入のための適切なエネルギーの決定方法、およびセミコンダクタ・オン・インシュレータ(Semiconductor−on−insulator)構造体の組立方法 | 2021年11月10日 | |
特許 6949879 | 歪みセミコンダクタ・オン・インシュレータ(strained semiconductor−on−insulator)基板の製造方法 | 2021年10月13日 | |
特許 6929880 | 層を製造するための方法 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6888028 | 歪みセミコンダクタ・オン・インシュレータ(strained semiconductor−on−insulator)基板の製造方法 | 2021年 6月16日 | |
特許 6847957 | 温度補償表面音響波デバイスまたはバルク音響波デバイス用の基板 | 2021年 3月24日 | |
特許 6816147 | 単結晶層、特に圧電層の製造方法 | 2021年 1月20日 | |
特許 6812443 | 単結晶圧電層、およびそのような層を含むマイクロエレクトロニクスデバイス、光子デバイスまたは光学デバイスの作製方法 | 2021年 1月13日 |
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6965260 6949879 6929880 6888028 6847957 6816147 6812443
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