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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第425位 90件 (2010年:第427位 100件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第360位 91件 (2010年:第397位 73件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-245760 | 成形体の製造装置及び製造方法 | 2011年12月 8日 | |
特開 2011-240581 | 断熱パネル構造 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-240494 | 造粒方法及び造粒装置 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243732 | プラズマ処理方法及びその装置 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-238804 | レーザアニール処理装置、レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール処理プログラム | 2011年11月24日 | |
特開 2011-235499 | 中空成形機 | 2011年11月24日 | |
特開 2011-238812 | 結晶化半導体薄膜の製造方法および結晶化半導体薄膜 | 2011年11月24日 | |
特開 2011-230339 | 塗膜を有する成形品の製造方法および製造用金型 | 2011年11月17日 | |
特開 2011-231385 | クラッド鋼の剥離方法 | 2011年11月17日 | 共同出願 |
特開 2011-230307 | エジェクタ装置 | 2011年11月17日 | |
特開 2011-233793 | 結晶質半導体の製造方法およびレーザアニール装置 | 2011年11月17日 | |
特開 2011-233709 | 結晶材料改質装置および結晶材料の改質方法 | 2011年11月17日 | |
特開 2011-230396 | 貫通孔を有する微細構造成形体の製造方法及び微細構造成形体素材 | 2011年11月17日 | |
特開 2011-228734 | 半導体膜のレーザアニール装置 | 2011年11月10日 | |
特開 2011-224789 | 中空成形機のパリソン切断装置及び方法 | 2011年11月10日 |
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2011-245760 2011-240581 2011-240494 2011-243732 2011-238804 2011-235499 2011-238812 2011-230339 2011-231385 2011-230307 2011-233793 2011-233709 2011-230396 2011-228734 2011-224789
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11月22日(金) -
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -