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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第106位 436件
(2011年:第107位 416件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第108位 382件
(2011年:第67位 474件)
(ランキング更新日:2025年5月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-7003 | 実装用封止材及びそれを用いて封止した半導体装置 | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-7002 | シクロアルキル基含有シリコーン樹脂組成物及び該組成物の使用方法。 | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-6986 | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び熱発泡性耐火被覆材並びに耐火性構造物 | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-7037 | 防曇剤組成物 | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-7007 | ダイボンド剤組成物及び半導体装置。 | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-9421 | 非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法及び非水電解質二次電池用負極活物質並びに非水電解質二次電池用負極材、非水電解質二次電池用負極、非水電解質二次電池 | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-9337 | セラミックスヒータ | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-4404 | 合成石英ガラス基板の処理方法 | 2012年 1月 5日 | |
特開 2012-4200 | 薄型ウエハの製造方法 | 2012年 1月 5日 | |
特開 2012-708 | 希土類磁石のマルチ切断加工方法 | 2012年 1月 5日 | |
特開 2012-1687 | ナフタレン誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 | 2012年 1月 5日 | |
特開 2012-1668 | シルフェニレン含有光硬化性組成物、それを用いたパターン形成方法およびその方法により得られる光半導体素子 | 2012年 1月 5日 | |
特開 2012-1652 | 熱硬化性フルオロポリエーテル系接着剤組成物及びその接着方法 | 2012年 1月 5日 | |
再表 2010-7970 | 長残光蛍光体の製造方法 | 2012年 1月 5日 | |
特開 2012-1381 | 単結晶基板および単結晶基板の製造方法 | 2012年 1月 5日 |
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2012-7003 2012-7002 2012-6986 2012-7037 2012-7007 2012-9421 2012-9337 2012-4404 2012-4200 2012-708 2012-1687 2012-1668 2012-1652 2010-7970 2012-1381
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5月27日(火) - 東京 港区
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5月30日(金) -
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