ホーム > 特許ランキング > 信越化学工業株式会社 > 2026年の出願公開
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第40位 124件
(
2025年:第61位 425件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第66位 86件
(
2025年:第64位 386件)
(ランキング更新日:2026年3月24日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2026-50585 | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 | 2026年 3月23日 | |
| 特開 2026-49379 | 熱伝導性シリコーングリース組成物 | 2026年 3月18日 | |
| 特開 2026-48778 | 基板、移載方法、LEDパネルの製造方法及びデバイスの製造方法 | 2026年 3月17日 | |
| 特開 2026-47779 | ジイン含有アミノ変性オルガノポリシロキサン化合物を含む2液硬化型シリコーン組成物及びその硬化物 | 2026年 3月16日 | |
| 特開 2026-46748 | 改質ポリシラザン硬化被膜の製造方法、及び改質ポリシラザン硬化被膜 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-46832 | シンチレータ用積層体およびその製造方法 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-46918 | レジスト組成物、積層体及びパターン形成方法 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-47162 | 位相シフトマスクブランク、及び位相シフトマスクの製造方法 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-43115 | 結晶性酸化物半導体膜の製造方法及び原料溶液の製造方法 | 2026年 3月12日 | |
| 特開 2026-43384 | 被覆物品 | 2026年 3月12日 | |
| 特開 2026-43540 | オニウム塩、光酸発生剤、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 | 2026年 3月12日 | |
| 特開 2026-43544 | オニウム塩型モノマー、モノマー型光酸発生剤、ポリマー、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 | 2026年 3月12日 | |
| 特開 2026-44250 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | 2026年 3月12日 | |
| 特開 2026-44251 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | 2026年 3月12日 | |
| 特開 2026-42362 | オニウム塩、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | 2026年 3月11日 |
127 件中 1-15 件を表示
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2026-50585 2026-49379 2026-48778 2026-47779 2026-46748 2026-46832 2026-46918 2026-47162 2026-43115 2026-43384 2026-43540 2026-43544 2026-44250 2026-44251 2026-42362
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