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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第130位 346件
(2013年:第157位 314件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第92位 414件
(2013年:第92位 439件)
(ランキング更新日:2025年7月18日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2014-25819 | 溶融容器及び高周波溶融装置 | 2014年 2月 6日 | |
特開 2014-26720 | 燃料電池セル | 2014年 2月 6日 | |
再表 2012-35985 | 成形型 | 2014年 2月 3日 | |
特開 2014-18150 | 核酸クロマトグラフィー検査具およびその製造方法 | 2014年 2月 3日 | |
特開 2014-20869 | 圧電デバイス | 2014年 2月 3日 | |
特開 2014-20868 | センシング素子 | 2014年 2月 3日 | |
特開 2014-20867 | 圧電デバイス | 2014年 2月 3日 | |
再表 2012-39453 | 半導体製造装置部材 | 2014年 2月 3日 | |
特開 2014-16191 | 放射性廃棄物の減容処理装置 | 2014年 1月30日 | |
特開 2014-17244 | 燃料電池のスタック構造体 | 2014年 1月30日 | |
特開 2014-12332 | 薄肉輪状部材を用いた部品の組立方法並びに円筒形又は円柱形の部品のフランジ面に薄肉輪状部材を取り付けた組み立て体の製造方法及び製造装置 | 2014年 1月23日 | |
特開 2014-9103 | セラミックハニカム構造体の製造方法 | 2014年 1月20日 | |
特開 2014-8603 | セラミックハニカム構造体の製造方法 | 2014年 1月20日 | |
再表 2012-32915 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子 | 2014年 1月20日 | |
特開 2014-6168 | 放射性セシウム汚染物の処理方法 | 2014年 1月16日 |
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2014-25819 2014-26720 2012-35985 2014-18150 2014-20869 2014-20868 2014-20867 2012-39453 2014-16191 2014-17244 2014-12332 2014-9103 2014-8603 2012-32915 2014-6168
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7月25日(金) - 大阪 大阪市
7月25日(金) - 東京 立川市
【特許のはなし・生成系AIのリスクのはなし】~特許の使い方・使える特許の作り方と、生成系AIを業務で使う場合のリスクと対応策について~
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