特許ランキング - 出願人詳細情報 -

三星電子株式会社

※ ログインすれば出願人(三星電子株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第57位　657件（2010年：第73位　608件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第31位　872件（2010年：第31位　731件）

（ランキング更新日：2025年3月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

三星電子株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 4845659	現像装置	2011年12月28日
特許 4843275	エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法	2011年12月21日
特許 4843193	フラッシュメモリ装置およびその装置のコラム選択トランジスタのストレステスト方法	2011年12月21日
特許 4842516	強誘電体記憶素子及びその製造方法	2011年12月21日
特許 4841862	バックライトアセンブリー及びこれを備えた表示装置	2011年12月21日
特許 4843227	多重放送チャンネル信号をデマルチプレックスするデジタル放送受信器のデマルチプレクサ及び、デマルチプレックス方法	2011年12月21日
特許 4842207	無線ネットワークにおけるブロードキャスト方法およびその方法を使用した通信装置	2011年12月21日	共同出願
特許 4842033	携帯端末機の画像表示装置及び方法	2011年12月21日
特許 4842765	メモリ装置、メモリシステム、及びメモリ装置のデータ入出力方法	2011年12月21日
特許 4842639	カメラ	2011年12月21日
特許 4843277	高い信頼度を有する不揮発性メモリ装置のプログラム方法	2011年12月21日
特許 4841321	無線インターフェースにチャンネルを割り当てるための方法及び装置	2011年12月21日
特許 4837299	スプリットゲート型の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法	2011年12月14日
特許 4838542	直交周波数分割多重接続システム及び周波数オフセット制御方法	2011年12月14日
特許 4837884	ＤＲＡＭセル	2011年12月14日

872 件中 16-30 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

4845659 4843275 4843193 4842516 4841862 4843227 4842207 4842033 4842765 4842639 4843277 4841321 4837299 4838542 4837884

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。三星電子株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数