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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第158位 313件
(2012年:第176位 256件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第176位 235件
(2012年:第224位 173件)
(ランキング更新日:2025年2月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2013-256712 | 2次電池集電体用電解銅箔 | 2013年12月26日 | |
特開 2013-256711 | 2次電池集電体用電解銅箔 | 2013年12月26日 | |
特開 2013-256677 | 2次電池集電体用電解銅箔 | 2013年12月26日 | |
特開 2013-256443 | 高純度酸化亜鉛粉末及びその製造方法並びに高純度酸化亜鉛ターゲット及び高純度酸化亜鉛薄膜 | 2013年12月26日 | |
特開 2013-257943 | 2次電池集電体用電解銅箔 | 2013年12月26日 | |
特開 2013-254961 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 | 2013年12月19日 | |
特開 2013-254926 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 | 2013年12月19日 | |
特開 2013-252704 | キャリア付金属箔 | 2013年12月19日 | |
特開 2013-247017 | 二次電池負極集電体用圧延銅箔、それを用いたリチウムイオン二次電池用負極材及びリチウムイオン二次電池 | 2013年12月 9日 | |
特開 2013-243396 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 | 2013年12月 5日 | |
特開 2013-241289 | 放射線検出素子用化合物半導体結晶、放射線検出素子、放射線検出器、および放射線検出素子用化合物半導体結晶の製造方法 | 2013年12月 5日 | |
特開 2013-237576 | グラフェン製造用銅箔、グラフェン製造用銅箔の製造方法、及びグラフェンの製造方法 | 2013年11月28日 | |
特開 2013-234383 | 圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 | 2013年11月21日 | |
特開 2013-235796 | 超電導膜形成用圧延銅箔 | 2013年11月21日 | |
特開 2013-234356 | 高不純物含有鉛滓を原料とする鉛の乾式製錬方法 | 2013年11月21日 |
313 件中 1-15 件を表示
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2013-256712 2013-256711 2013-256677 2013-256443 2013-257943 2013-254961 2013-254926 2013-252704 2013-247017 2013-243396 2013-241289 2013-237576 2013-234383 2013-235796 2013-234356
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パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
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2月25日(火) -
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