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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件 (2010年:第1800位 14件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件 (2010年:第841位 28件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2009-101863 | IZOスクラップからの有価金属の回収方法 | 2011年 6月 9日 | |
特開 2011-111428 | 金属石鹸の製造方法 | 2011年 6月 9日 | |
再表 2009-101864 | IZOスクラップからの有価金属の回収方法 | 2011年 6月 9日 | |
特開 2011-114204 | プリント配線板用銅箔 | 2011年 6月 9日 | |
特開 2011-111663 | リフローSnめっき部材 | 2011年 6月 9日 | |
特開 2011-108442 | 圧延銅箔、並びにこれを用いた負極集電体、負極板及び二次電池 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-107148 | 分析試料の融解用ニッケルるつぼ、分析試料の作製方法及び分析方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-106961 | レーザーアブレーションICP分析法を用いた貴金属の分析方法 | 2011年 6月 2日 | |
再表 2009-98832 | 無接着剤フレキシブルラミネート | 2011年 5月26日 | |
再表 2009-99121 | イッテルビウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法。 | 2011年 5月26日 | |
再表 2009-93483 | バリア層上にルテニウム電気めっき層を有するULSI微細配線部材 | 2011年 5月26日 | |
再表 2009-84537 | a−IGZO酸化物薄膜の製造方法 | 2011年 5月19日 | |
特開 2011-93730 | 酸化物焼結体及びその製造方法 | 2011年 5月12日 | |
再表 2009-84318 | 高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 | 2011年 5月12日 | |
特開 2011-93803 | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 | 2011年 5月12日 |
199 件中 136-150 件を表示
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2009-101863 2011-111428 2009-101864 2011-114204 2011-111663 2011-108442 2011-107148 2011-106961 2009-98832 2009-99121 2009-93483 2009-84537 2011-93730 2009-84318 2011-93803
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11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月28日(木) - 東京 港区
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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