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ＪＸ日鉱日石金属株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件
（
2010年：第1800位 14件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件
（2010年：第841位 28件）
（ランキング更新日：2025年3月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4847179 | 貴金属めっきを施したチタン又はチタン合金材料 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4846872 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4842426 | 高純度銀の製造方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4840808 | 高純度ニッケル、高純度ニッケルターゲット及び高純度ニッケル薄膜 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4838587 | 気相成長方法 | 2011年12月14日 | |
| 特許 4837805 | 磁性材スパッタリングターゲット | 2011年12月14日 | |
| 特許 4836312 | 銀めっき前処理剤および銀めっき方法 | 2011年12月14日 | |
| 特許 4837785 | インジウムターゲット及びその製造方法 | 2011年12月14日 | |
| 特許 4837697 | 電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法 | 2011年12月14日 | |
| 特許 4836136 | 金属ガラス膜作製用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2011年12月14日 | 共同出願 |
| 特許 4834781 | 電子材料用Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金 | 2011年12月14日 | |
| 特許 4837801 | Ｃｏ若しくはＣｏ合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット | 2011年12月14日 | |
| 特許 4831594 | 高純度バナジウムスパッタリングターゲットの製造方法 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4830035 | 電子材料用Ｃｕ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金及びその製造方法 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4831408 | 板状電気銅の製造方法 | 2011年12月 7日 |
194 件中 1-15 件を表示
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4847179 4846872 4842426 4840808 4838587 4837805 4836312 4837785 4837697 4836136 4834781 4837801 4831594 4830035 4831408
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