特許ランキング - 出願人詳細情報 -

ＪＸ日鉱日石金属株式会社

※ ログインすれば出願人(ＪＸ日鉱日石金属株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2012年出願公開件数ランキング　　　第176位　256件（2011年：第215位　199件）

　■　2012年特許取得件数ランキング　　　第224位　173件（2011年：第185位　194件）

（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2012-162432	酸化ガリウム粉末及びその製造方法並びに酸化物焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法	2012年 8月30日
特開 2012-162792	インジウムターゲット及びその製造方法	2012年 8月30日
特開 2012-162791	端子又はコネクタ用めっき材及びその製造方法	2012年 8月30日
特開 2012-158822	Ｉｎの回収方法	2012年 8月23日
再表 2010-92863	ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケルシリサイド膜	2012年 8月16日
特開 2012-153985	導電性のある金属酸化物を含有するスクラップの電解粉砕方法	2012年 8月16日
特開 2012-156545	半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法	2012年 8月16日
特開 2012-149320	銅精鉱の処理方法	2012年 8月 9日
再表 2010-90137	酸化チタンを主成分とする薄膜及び酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット	2012年 8月 9日
特開 2012-149346	Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び半導体配線	2012年 8月 9日
特開 2012-149316	硫化銅鉱からの銅の浸出方法	2012年 8月 9日
特開 2012-144757	電気鉛の製造方法	2012年 8月 2日
再表 2010-87227	高純度エルビウムの製造方法及び高純度エルビウム並びに高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜	2012年 8月 2日
再表 2010-87392	バリア機能を有する金属元素と触媒能を有する金属元素との合金膜を有する基板	2012年 8月 2日
再表 2010-87268	電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法	2012年 8月 2日

255 件中 136-150 件を表示

... 10

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2012-162432 2012-162792 2012-162791 2012-158822 2010-92863 2012-153985 2012-156545 2012-149320 2010-90137 2012-149346 2012-149316 2012-144757 2010-87227 2010-87392 2010-87268

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ＪＸ日鉱日石金属株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数