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ＪＸ日鉱日石金属株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第176位 256件
（
2011年：第215位 199件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第224位 173件
（
2011年：第185位 194件）
（ランキング更新日：2026年2月19日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5110421 | Ｂｉの回収方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5106488 | 炭酸マンガンの製造方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5106518 | レーザーアブレーションＩＣＰ分析法を用いた貴金属の分析方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5107076 | 半導体基板の表面処理方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5099732 | 水系金属表面処理剤 | 2012年12月19日 | |
| 特許 5102317 | ＩＺＯスクラップからの有価金属の回収方法 | 2012年12月19日 | |
| 特許 5101235 | 電子部品用Ｓｎめっき材及び電子部品 | 2012年12月19日 | |
| 特許 5101149 | 熱間加工性に優れた高強度高導電性銅合金 | 2012年12月19日 | |
| 特許 5096375 | 銅箔の表面処理に用いるロール装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5094834 | 銅箔の製造方法、銅箔及び銅張積層板 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5090449 | テラヘルツ帯デバイス用素子及びテラヘルツ帯デバイス用素子の製造方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5090358 | 酸化亜鉛系透明導電体及び同透明導電体形成用スパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5086452 | インジウムターゲット及びその製造方法 | 2012年11月28日 | |
| 特許 5084055 | 電解脱脂装置及び電解脱脂方法 | 2012年11月28日 | |
| 特許 5081959 | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 | 2012年11月28日 |
173 件中 1-15 件を表示
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5110421 5106488 5106518 5107076 5099732 5102317 5101235 5101149 5096375 5094834 5090449 5090358 5086452 5084055 5081959
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