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ＪＸ日鉱日石金属株式会社

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ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2011-93730	酸化物焼結体及びその製造方法	2011年 5月12日
再表 2009-84318	高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜	2011年 5月12日
特開 2011-93803	窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法	2011年 5月12日
特開 2011-89970	Ｆｅ３＋を含む酸性溶液中のヨウ素定量法	2011年 5月 6日
特開 2011-88819	高純度ＺｒＢ２粉末及びその製造方法	2011年 5月 6日
特開 2011-91427	微細スルーホールを有するプリント配線基板およびその製造方法	2011年 5月 6日
特開 2011-90010	分析試料の融解用ジルコニウムるつぼ、分析試料の作製方法及び分析方法	2011年 5月 6日
特開 2011-91123	エピタキシャル成長用基板、半導体エピタキシャルウェハ及びこれらの製造方法	2011年 5月 6日
特開 2011-90801	ＭｏＳｉ２製発熱体及び同発熱体の製造方法	2011年 5月 6日
再表 2009-81889	プリント配線板用銅箔	2011年 5月 6日
再表 2009-78306	酸化チタンを主成分とする薄膜、酸化チタンを主成分とする薄膜の製造に適した焼結体スパッタリングターゲット及び酸化チタンを主成分とする薄膜の製造方法	2011年 4月28日
再表 2009-78255	基板、及びその製造方法	2011年 4月28日
再表 2009-78254	基板、及びその製造方法	2011年 4月28日
特開 2011-80150	高純度クロム、高純度クロムからなるスパッタリングターゲット、スパッタリングにより形成した高純度クロムからなる薄膜及びその製造方法	2011年 4月21日
特開 2011-74477	高純度タングステン粉末の製造方法	2011年 4月14日	共同出願

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2011-93730 2009-84318 2011-93803 2011-89970 2011-88819 2011-91427 2011-90010 2011-91123 2011-90801 2009-81889 2009-78306 2009-78255 2009-78254 2011-80150 2011-74477

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