特許ランキング - 出願人詳細情報 -

ＪＸ日鉱日石金属株式会社

※ ログインすれば出願人(ＪＸ日鉱日石金属株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第215位　199件（2010年：第1800位　14件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第185位　194件（2010年：第841位　28件）

（ランキング更新日：2024年11月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2011-93730	酸化物焼結体及びその製造方法	2011年 5月12日
再表 2009-84318	高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜	2011年 5月12日
特開 2011-93803	窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法	2011年 5月12日
特開 2011-89970	Ｆｅ３＋を含む酸性溶液中のヨウ素定量法	2011年 5月 6日
特開 2011-88819	高純度ＺｒＢ２粉末及びその製造方法	2011年 5月 6日
特開 2011-91427	微細スルーホールを有するプリント配線基板およびその製造方法	2011年 5月 6日
特開 2011-90010	分析試料の融解用ジルコニウムるつぼ、分析試料の作製方法及び分析方法	2011年 5月 6日
特開 2011-91123	エピタキシャル成長用基板、半導体エピタキシャルウェハ及びこれらの製造方法	2011年 5月 6日
特開 2011-90801	ＭｏＳｉ２製発熱体及び同発熱体の製造方法	2011年 5月 6日
再表 2009-81889	プリント配線板用銅箔	2011年 5月 6日
再表 2009-78306	酸化チタンを主成分とする薄膜、酸化チタンを主成分とする薄膜の製造に適した焼結体スパッタリングターゲット及び酸化チタンを主成分とする薄膜の製造方法	2011年 4月28日
再表 2009-78255	基板、及びその製造方法	2011年 4月28日
再表 2009-78254	基板、及びその製造方法	2011年 4月28日
特開 2011-80150	高純度クロム、高純度クロムからなるスパッタリングターゲット、スパッタリングにより形成した高純度クロムからなる薄膜及びその製造方法	2011年 4月21日
特開 2011-74477	高純度タングステン粉末の製造方法	2011年 4月14日	共同出願

199 件中 151-165 件を表示

... 11

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2011-93730 2009-84318 2011-93803 2011-89970 2011-88819 2011-91427 2011-90010 2011-91123 2011-90801 2009-81889 2009-78306 2009-78255 2009-78254 2011-80150 2011-74477

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ＪＸ日鉱日石金属株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数